| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| §1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| §1.2 国内外研究现状 | 第14-25页 |
| §1.2.1 等离子体技术在军事中的应用 | 第14-18页 |
| §1.2.2 表面等离子体激元及其应用 | 第18-25页 |
| §1.3 本文主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 天线罩等离子体的产生 | 第26-41页 |
| §2.1 引言 | 第26-27页 |
| §2.2 射频电容耦合放电的基本原理 | 第27-39页 |
| §2.2.1 射频电容耦合放电的基本特征 | 第28页 |
| §2.2.2 射频电容耦合放电的简单模型 | 第28-32页 |
| §2.2.3 低气压射频电容耦合等离子体的能量获取机制 | 第32-37页 |
| §2.2.4 射频电容耦合放电的模式 | 第37-39页 |
| §2.3 低气压射频电容耦合放电产生天线罩等离子体的实验设计 | 第39-40页 |
| §2.4 小结 | 第40-41页 |
| 第三章 天线罩等离子体的参数诊断及其对微波反射的影响 | 第41-76页 |
| §3.1 电磁波在等离子体中的传播 | 第41-52页 |
| §3.1.1 电磁波在普通介质中传播的基本理论 | 第41-43页 |
| §3.1.2 电磁波在非磁化等离子体中的传播 | 第43-47页 |
| §3.1.3 等离子体参数的微波诊断 | 第47-52页 |
| §3.2 Penning效应与等离子体电子密度的提高 | 第52-53页 |
| §3.3 天线罩等离子体电子密度的提高 | 第53-64页 |
| §3.3.1 实验安排 | 第53-55页 |
| §3.3.2 实验结果与讨论 | 第55-64页 |
| §3.4 天线罩等离子体对微波反射的影响 | 第64-75页 |
| §3.4.1 实验安排 | 第64-65页 |
| §3.4.2 实验结果与讨论 | 第65-75页 |
| §3.5 小结 | 第75-76页 |
| 第四章 表面等离子体激元对亚波长金属狭缝微波透射的影响 | 第76-108页 |
| §4.1 表面等离子体激元简介 | 第76-89页 |
| §4.1.1 表面等离子体激元的色散关系 | 第76-81页 |
| §4.1.2 表面等离子体激元的激发方式 | 第81-89页 |
| §4.2 电磁波在金属中的色散(Drude模型) | 第89-93页 |
| §4.3 电磁波通过亚波长金属狭缝的经典透射理论 | 第93-94页 |
| §4.4 亚波长金属狭缝微波透射的实验安排 | 第94-96页 |
| §4.5 实验结果与讨论 | 第96-106页 |
| §4.5.1 P极化下的超强透射 | 第96-99页 |
| §4.5.2 P极化下的聚束效应 | 第99-101页 |
| §4.5.3 超强透射与聚束效应的极化依赖关系 | 第101-102页 |
| §4.5.4 表面结构参数对微波超强透射的影响 | 第102-106页 |
| §4.6 小结 | 第106-108页 |
| 第五章 表面等离子体激元对微波反射的影响 | 第108-119页 |
| §5.1 引言 | 第108-109页 |
| §5.2 金属表面等离子体激元对微波反射的影响 | 第109-113页 |
| §5.2.1 实验安排 | 第109-110页 |
| §5.2.2 实验结果与讨论 | 第110-113页 |
| §5.3 过密等离子体表面SPs对微波反射的影响 | 第113-118页 |
| §5.3.1 实验安排 | 第113-115页 |
| §5.3.2 实验结果与讨论 | 第115-118页 |
| §5.4 小结 | 第118-119页 |
| 第六章 总结与展望 | 第119-121页 |
| §6.1 主要研究内容及创新点 | 第119-120页 |
| §6.2 未来工作展望 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-130页 |
| 致谢 | 第130-132页 |
| 在读期间文章发表情况 | 第132页 |
