| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT研究进展 | 第9-15页 |
| ·GaN材料在微波功率器件方面的优势 | 第9-10页 |
| ·GaN及其异质结材料的研究进展 | 第10-11页 |
| ·GaN基HEMT器件的研究进展 | 第11-15页 |
| ·AlGaN/GaN MIS-HEMT研究进展 | 第15-18页 |
| ·AlGaN/GaN MIS-HEMT研究的意义 | 第15-18页 |
| ·原子层淀积(ALD)方法的优点 | 第18页 |
| ·本文的结构和主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 MOS-HEMT器件的制备 | 第21-31页 |
| ·AlGaN/GaN器件的制备工艺 | 第21-24页 |
| ·新型MOS-HEMT器件的制备 | 第24-29页 |
| ·栅介质的选择以及A1_20_3 的优势 | 第24-25页 |
| ·ALD方法制备A1_20_3 工艺 | 第25-26页 |
| ·MOS-HEMT器件的工艺流程 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 MOS-HEMT器件的参数分析和室温特性分析 | 第31-47页 |
| ·器件的工作机理和结构的优化 | 第31-37页 |
| ·主要参数和基本理论 | 第31-35页 |
| ·器件结构和工艺的改良 | 第35-37页 |
| ·实验准备及测量方法 | 第37页 |
| ·器件特性分析 | 第37-45页 |
| ·器件直流特性分析 | 第37-41页 |
| ·器件栅极脉冲测试分析 | 第41-42页 |
| ·器件频率特性分析 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 MOS-HEMT器件温度特性研究 | 第47-57页 |
| ·MOS-HEMT器件的温度特性分析 | 第47-51页 |
| ·实验准备及测量方法 | 第47-48页 |
| ·实验结果及分析 | 第48-51页 |
| ·变温C-V测量以及界面陷阱电荷的分析 | 第51-54页 |
| ·C-V曲线对比分析 | 第51-53页 |
| ·陷阱电荷分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第66-67页 |