| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-19页 |
| 第一章 超导体简介 | 第19-32页 |
| ·超导体的基本物理特性 | 第20-25页 |
| ·零电阻现象 | 第20页 |
| ·超导相变 | 第20-24页 |
| ·超导临界参数 | 第24-25页 |
| ·超导材料发展历史 | 第25-28页 |
| ·超导机理发展历史 | 第28-29页 |
| ·参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 MgB_2超导材料概述 | 第32-81页 |
| ·AlB_2 结构超导体以及MgB_2的晶体结构 | 第32-35页 |
| ·MgB_2中的电-声耦合作用 | 第35-42页 |
| ·MgB_2的电子结构 | 第35-38页 |
| ·MgB_2的声子特征 | 第38-40页 |
| ·MgB_2的电-声耦合特征 | 第40-42页 |
| ·MgB_2的同位素效应 | 第42页 |
| ·元素掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第42-49页 |
| ·铝（Al）掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第44-46页 |
| ·碳（C）掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第46-48页 |
| ·过渡金属掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第48-49页 |
| ·MgB_2临界磁场 | 第49-50页 |
| ·上临界磁场（H_(c2)） | 第49-50页 |
| ·不可逆磁场（H_(irr)） | 第50页 |
| ·MgB_2超导体的临界电流密度和磁通钉扎机理 | 第50-55页 |
| ·MgB_2超导体的连接性 | 第51-52页 |
| ·MgB_2超导体的临界电流密度模型 | 第52-55页 |
| ·MgB_2上临界磁场和临界电流密度的实验观察 | 第55-62页 |
| ·MgB_2超导体的应用 | 第62页 |
| ·MgB_2超导性能总结 | 第62-64页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第64页 |
| ·参考文献 | 第64-81页 |
| 第三章 实验原理与实验设备 | 第81-94页 |
| ·样品制备方法 | 第81-83页 |
| ·原位（in situ）和非原位（ex situ）烧结 | 第81页 |
| ·块状样品制备 | 第81页 |
| ·MgB_2超导线材 | 第81-83页 |
| ·样品相组成与微结构的表征 | 第83-88页 |
| ·X 射线衍射（X-ray diffraction (XRD)） | 第84页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第84-85页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第85-86页 |
| ·拉曼光谱（Raman spectroscopy） | 第86-88页 |
| ·电磁性能测量 | 第88-93页 |
| ·超导转变温度T_c定义 | 第89-90页 |
| ·临界电流密度J_c计算 | 第90页 |
| ·上临界磁场H_(c2)及不可逆临界磁场H_(irr)的确定 | 第90-93页 |
| ·参考文献 | 第93-94页 |
| 第四章电-声耦合作用对MgB_2超导电性的影响 | 第94-114页 |
| ·样品制备及检测 | 第94-95页 |
| ·样品性能 | 第95-100页 |
| ·晶格参数，微观结构 | 第95-97页 |
| ·超导转变温度 | 第97-98页 |
| ·拉曼光谱与烧结温度的关系 | 第98-100页 |
| ·电-声耦合分析 | 第100-106页 |
| ·拉曼光谱与晶体结构的关系 | 第100-104页 |
| ·E_(2g)声子模对MgB_2超导电性的贡献 | 第104-105页 |
| ·Raman 峰强度与超导电性的关系 | 第105-106页 |
| ·钉扎机理分析 | 第106-110页 |
| ·上临界磁场H_(c2)和不可逆磁场H_(irr) | 第106-107页 |
| ·临界电流密度 | 第107-108页 |
| ·磁通钉扎机理分析 | 第108-110页 |
| ·结论 | 第110-111页 |
| ·参考文献 | 第111-114页 |
| 第五章元素掺杂对MgB_2超导电性的影响 | 第114-132页 |
| ·引言 | 第114-115页 |
| ·样品制备 | 第115-116页 |
| ·元素掺杂引起的晶格常数和声子变化 | 第116-123页 |
| ·XRD 图谱以及晶格常数变化 | 第116-117页 |
| ·Raman 光谱变化 | 第117-119页 |
| ·Grüneisen 关系 | 第119-123页 |
| ·MgB_2超导转变温度的提高 | 第123-127页 |
| ·晶格膨胀效应提高超导转变温度 | 第123-125页 |
| ·提高MgB_2超导转变温度的限制因素 | 第125-127页 |
| ·结论 | 第127-128页 |
| ·参考文献 | 第128-132页 |
| 第六章 磁性散射作用对Mg_(1-x)M_xB_2 (M = Fe, Co, Ni)超导电性的影响 | 第132-147页 |
| ·磁性散射作用对超导电性的影响 | 第132-133页 |
| ·实验细节 | 第133页 |
| ·相组成与电磁特性 | 第133-137页 |
| ·电-声耦合强度 | 第137-144页 |
| ·E_(2g)声子模对电-声耦合强度贡献 | 第138-141页 |
| ·超导转变温度降低的原因 | 第141-144页 |
| ·结论 | 第144页 |
| ·参考文献 | 第144-147页 |
| 第七章 连接性和体系紊乱对碳化硅掺杂MgB_2磁通钉扎力的影响 | 第147-166页 |
| ·引言 | 第147-148页 |
| ·样品制备 | 第148页 |
| ·相组成与电磁性能 | 第148-153页 |
| ·相组成 | 第148-149页 |
| ·临界电流密度以及超导转变温度 | 第149-153页 |
| ·磁通钉扎机理和电-声耦合强度 | 第153-163页 |
| ·样品连接性 | 第153-155页 |
| ·H_(irr), H_(c2), 以及F_p | 第155-157页 |
| ·Raman 光谱 | 第157-160页 |
| ·电-声耦合作用 | 第160-163页 |
| ·结论 | 第163页 |
| ·参考文献 | 第163-166页 |
| 第八章 结论与展望 | 第166-175页 |
| ·结论 | 第166-167页 |
| ·展望 | 第167-173页 |
| ·超导转变温度的提高 | 第167-169页 |
| ·临界电流密度的提高 | 第169-173页 |
| ·参考文献 | 第173-175页 |
| 文中缩写 | 第175-177页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第177-183页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第183-184页 |
| 致谢 | 第184页 |
