并五苯有机薄膜晶体管器件的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-16页 |
| ·OTFT的研究意义和研究进展 | 第11-12页 |
| ·当前应用的领域 | 第12-14页 |
| ·存在的问题和发展方向 | 第14页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 OTFT的工作原理和材料体系 | 第16-26页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第16-19页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构 | 第19-22页 |
| ·有机薄膜晶体管传统结构 | 第20-21页 |
| ·其它结构 | 第21-22页 |
| ·有机薄膜晶体管的材料体系选择 | 第22-26页 |
| ·p型有机半导体材料 | 第23-24页 |
| ·n型有机半导体材料 | 第24页 |
| ·双极型有机半导体材料 | 第24-26页 |
| 3 有机薄膜的生长理论及制备工艺 | 第26-39页 |
| ·有机薄膜生长基本理论 | 第26-29页 |
| ·有机半导体材料电荷输运理论 | 第26页 |
| ·有机薄膜生长过程 | 第26-28页 |
| ·有机薄膜的生长方式 | 第28-29页 |
| ·有机薄膜制备工艺 | 第29-39页 |
| ·有机半导体材料电荷输运理论 | 第29-32页 |
| ·基片的清洗和栅极的制备工艺 | 第32-33页 |
| ·栅绝缘层的制备工艺 | 第33-35页 |
| ·有源层的制备工艺 | 第35-36页 |
| ·源漏电极的制备工艺 | 第36-39页 |
| 4 OTFT器件的测试和性能分析 | 第39-51页 |
| ·有机薄膜晶体管器件的测试 | 第39-40页 |
| ·有机薄膜晶体管器件漏电流的分析 | 第40-50页 |
| ·绝缘层电流泄漏的分析 | 第40-42页 |
| ·SiO_2和 Si_3N_4绝缘层性能的比较: | 第42-46页 |
| ·不同制备方式制备的绝缘层性能的比较: | 第46-49页 |
| ·不同厚度的绝缘层性能的比较: | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 5 新型圆形沟道器件的性能分析 | 第51-59页 |
| ·器件结构和工艺参数 | 第51-52页 |
| ·新器件及传统器件特性曲线比较 | 第52-56页 |
| ·原理分析 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 6 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 作者简历 | 第64-66页 |
