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10Gb/s单片OEIC光接收机及限幅放大器的研制

摘要第1-7页
Abstract第7-15页
第一章 绪论第15-25页
   ·光电集成电路第15页
   ·单片光电集成的研究进展第15-21页
     ·单片集成光发射机第16-17页
     ·单片集成光接收机第17-20页
     ·国内单片光电集成技术的发展第20-21页
     ·单片光电集成技术的发展和展望第21页
   ·课题来源及本论文的主要工作第21-25页
     ·课题来源第21-22页
     ·本论文的主要工作第22-25页
第二章 GaAs MSM光探测器研究第25-44页
   ·引言第25-26页
   ·MSM光探测器第26-36页
     ·MSM PD基本工作原理第26-28页
     ·MSM PD参数特性分析第28-36页
       ·响应度第29-30页
       ·暗电流第30-33页
       ·频率特性第33-36页
   ·SILVACO辅助仿真设计第36-43页
     ·LINUX软件简介及使用第36-37页
     ·ATLAS软件介绍第37-39页
     ·SILVACO仿真及结果分析第39-43页
   ·小结第43-44页
第三章 单片光电集成工艺研究第44-62页
   ·引言第44-47页
   ·台面自停止工艺第47-53页
     ·台面自停止工艺的提出第47-48页
     ·腐蚀自停止研究第48-49页
     ·新工艺的研究第49-53页
   ·MSM PD工艺第53-55页
     ·MSM电极工艺第53-54页
     ·钝化工艺第54-55页
   ·其它关键工艺第55-59页
     ·电子束曝光工艺第55-57页
     ·光刻和干法刻蚀第57-59页
   ·工艺监控第59-60页
   ·小结第60-62页
第四章 单片光电集成光接收机电路设计第62-95页
   ·PHEMT的研究历程第62-64页
   ·HEMT & PHEMT的发展及应用第64-66页
     ·HEMT & PHEMT国外发展现状第64-66页
     ·HEMT & PHEMT国内发展现状第66页
   ·PHEMT的基本特性第66-72页
     ·直流特性第67-69页
     ·PHEMT射频特性第69-71页
     ·PHEMT噪声特性第71-72页
   ·PHEMT管的选择及模型第72-76页
     ·单管的选择第72-73页
     ·模型的提取第73-76页
   ·单片光电集成光接收机前置放大器设计第76-84页
     ·跨阻放大器简介第77-80页
     ·跨阻放大器设计第80-81页
     ·电流模跨阻放大器的设计第81-84页
   ·单片OEIC光接收机主放大器第84-94页
     ·概述第84-85页
     ·限幅放大器的限幅原理第85-87页
     ·限幅放大器的设计第87-94页
   ·小结第94-95页
第五章 单片集成电路的无源元件第95-108页
   ·引言第95-96页
   ·电阻第96-97页
   ·电容第97-100页
   ·电感第100-105页
     ·简介第100-102页
     ·螺旋电感设计及制作第102-105页
   ·其它辅助结构第105-107页
   ·小结第107-108页
第六章 版图设计及装架测试第108-123页
   ·版图设计及流片第108-114页
     ·版图设计中对寄生参数的考虑第108-110页
     ·版图设计中其它因素的影响第110-111页
     ·限幅放大器版图设计第111-112页
     ·芯片的版图和实物照片第112-114页
   ·装架及测试第114-122页
     ·芯片的装架第114-115页
     ·测试第115-122页
       ·测试仪器的校准第115-116页
       ·单片OEIC光接收机的测试第116-119页
       ·前置放大器的测试第119-121页
       ·限幅放大器的测试第121-122页
   ·小结第122-123页
第七章 单片OEIC设计总结及后续研究展望第123-125页
   ·项目设计总结第123-124页
   ·需要改进的地方和后续展望第124-125页
致谢第125-126页
参考文献第126-138页
攻博期间取得的研究成果第138-140页
附图第140-145页

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