10Gb/s单片OEIC光接收机及限幅放大器的研制
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-15页 |
第一章 绪论 | 第15-25页 |
·光电集成电路 | 第15页 |
·单片光电集成的研究进展 | 第15-21页 |
·单片集成光发射机 | 第16-17页 |
·单片集成光接收机 | 第17-20页 |
·国内单片光电集成技术的发展 | 第20-21页 |
·单片光电集成技术的发展和展望 | 第21页 |
·课题来源及本论文的主要工作 | 第21-25页 |
·课题来源 | 第21-22页 |
·本论文的主要工作 | 第22-25页 |
第二章 GaAs MSM光探测器研究 | 第25-44页 |
·引言 | 第25-26页 |
·MSM光探测器 | 第26-36页 |
·MSM PD基本工作原理 | 第26-28页 |
·MSM PD参数特性分析 | 第28-36页 |
·响应度 | 第29-30页 |
·暗电流 | 第30-33页 |
·频率特性 | 第33-36页 |
·SILVACO辅助仿真设计 | 第36-43页 |
·LINUX软件简介及使用 | 第36-37页 |
·ATLAS软件介绍 | 第37-39页 |
·SILVACO仿真及结果分析 | 第39-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第三章 单片光电集成工艺研究 | 第44-62页 |
·引言 | 第44-47页 |
·台面自停止工艺 | 第47-53页 |
·台面自停止工艺的提出 | 第47-48页 |
·腐蚀自停止研究 | 第48-49页 |
·新工艺的研究 | 第49-53页 |
·MSM PD工艺 | 第53-55页 |
·MSM电极工艺 | 第53-54页 |
·钝化工艺 | 第54-55页 |
·其它关键工艺 | 第55-59页 |
·电子束曝光工艺 | 第55-57页 |
·光刻和干法刻蚀 | 第57-59页 |
·工艺监控 | 第59-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
第四章 单片光电集成光接收机电路设计 | 第62-95页 |
·PHEMT的研究历程 | 第62-64页 |
·HEMT & PHEMT的发展及应用 | 第64-66页 |
·HEMT & PHEMT国外发展现状 | 第64-66页 |
·HEMT & PHEMT国内发展现状 | 第66页 |
·PHEMT的基本特性 | 第66-72页 |
·直流特性 | 第67-69页 |
·PHEMT射频特性 | 第69-71页 |
·PHEMT噪声特性 | 第71-72页 |
·PHEMT管的选择及模型 | 第72-76页 |
·单管的选择 | 第72-73页 |
·模型的提取 | 第73-76页 |
·单片光电集成光接收机前置放大器设计 | 第76-84页 |
·跨阻放大器简介 | 第77-80页 |
·跨阻放大器设计 | 第80-81页 |
·电流模跨阻放大器的设计 | 第81-84页 |
·单片OEIC光接收机主放大器 | 第84-94页 |
·概述 | 第84-85页 |
·限幅放大器的限幅原理 | 第85-87页 |
·限幅放大器的设计 | 第87-94页 |
·小结 | 第94-95页 |
第五章 单片集成电路的无源元件 | 第95-108页 |
·引言 | 第95-96页 |
·电阻 | 第96-97页 |
·电容 | 第97-100页 |
·电感 | 第100-105页 |
·简介 | 第100-102页 |
·螺旋电感设计及制作 | 第102-105页 |
·其它辅助结构 | 第105-107页 |
·小结 | 第107-108页 |
第六章 版图设计及装架测试 | 第108-123页 |
·版图设计及流片 | 第108-114页 |
·版图设计中对寄生参数的考虑 | 第108-110页 |
·版图设计中其它因素的影响 | 第110-111页 |
·限幅放大器版图设计 | 第111-112页 |
·芯片的版图和实物照片 | 第112-114页 |
·装架及测试 | 第114-122页 |
·芯片的装架 | 第114-115页 |
·测试 | 第115-122页 |
·测试仪器的校准 | 第115-116页 |
·单片OEIC光接收机的测试 | 第116-119页 |
·前置放大器的测试 | 第119-121页 |
·限幅放大器的测试 | 第121-122页 |
·小结 | 第122-123页 |
第七章 单片OEIC设计总结及后续研究展望 | 第123-125页 |
·项目设计总结 | 第123-124页 |
·需要改进的地方和后续展望 | 第124-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
参考文献 | 第126-138页 |
攻博期间取得的研究成果 | 第138-140页 |
附图 | 第140-145页 |