| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·VO_2薄膜的晶体结构与特性 | 第14-15页 |
| ·VO_2薄膜的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·VO_2薄膜的特性 | 第15页 |
| ·VO_2薄膜的相变原理 | 第15-17页 |
| ·VO_2薄膜的应用 | 第17-18页 |
| ·非致冷红外探测器 | 第17页 |
| ·太阳能控制材料应用 | 第17-18页 |
| ·热致开关 | 第18页 |
| ·光电开关 | 第18页 |
| ·光存储 | 第18页 |
| ·其他方面的应用 | 第18页 |
| ·VO_x薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第19页 |
| ·真空蒸发(VE) | 第19页 |
| ·离子束溅射沉积 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 掺杂VO_x薄膜的制备及测试方法 | 第22-30页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第22-27页 |
| ·溅射基本介绍 | 第22-23页 |
| ·磁控反应溅射的基本原理 | 第23-25页 |
| ·薄膜沉积过程 | 第25-26页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射制备掺杂VO_x薄膜 | 第27-28页 |
| ·薄膜的测试 | 第28-29页 |
| ·结构分析 | 第28页 |
| ·表面形貌分析 | 第28-29页 |
| ·电阻测试 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 直流磁控溅射制备VO_x薄膜及其性能分析 | 第30-43页 |
| ·常温下制备的VO_x薄膜结构 | 第30-31页 |
| ·热处理对VOx薄膜性能的影响 | 第31-34页 |
| ·退火气氛对VO_x薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| ·退火温度对VO_x薄膜性能的影响 | 第33页 |
| ·退火时间对VO_x薄膜性能的影响 | 第33-34页 |
| ·氧氩比对VOx薄膜性能的影响 | 第34-37页 |
| ·不同氧氩比直流磁控溅射制备VO_x薄膜的工艺参数 | 第34-35页 |
| ·氧氩比对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第35-36页 |
| ·样品的AFM分析 | 第36-37页 |
| ·工作气压对VO_x薄膜性能的影响 | 第37-39页 |
| ·不同工作气压制备VOx薄膜的工艺参数 | 第37页 |
| ·工作气压对VO_x薄膜电阻突变性能的影响 | 第37-38页 |
| ·样品B1、B2的XRD分析 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对VO_x薄膜性能的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 掺钨氧化钒薄膜制备及性能研究 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·掺杂的能带及晶体学原理 | 第43-44页 |
| ·掺钨VO_2薄膜的制备及性能研究 | 第44-47页 |
| ·不同钨靶溅射功率对制备薄膜性能的影响 | 第44-47页 |
| ·不同钨靶溅射时间对制备薄膜性能的影响 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 VO_x多层膜的制备工艺及性能分析 | 第49-53页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·不同氧氩比沉积TiO_2时对VO_x/TiO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第49-50页 |
| ·沉积TiO_2时不同工作气压对电阻-温度曲线影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 掺杂VO_x薄膜光学特性研究 | 第53-57页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·VO_2薄膜的光学特性 | 第53-54页 |
| ·掺杂氧化钒薄膜红外光学特性研究 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第63页 |
