TPC中Gating-GEM膜电子透过率的研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第1章 引言 | 第8-20页 |
·课题背景 | 第8-10页 |
·ILC 简介 | 第8页 |
·ILC 探测器设计 | 第8-10页 |
·GEM-TPC | 第10-13页 |
·GEM 探测器 | 第10-12页 |
·GEM-TPC | 第12-13页 |
·正离子反馈. | 第13-15页 |
·正离子来源 | 第13-14页 |
·正离子反馈影响 | 第14-15页 |
·正离子反馈改善 | 第15页 |
·ILC 门控 | 第15-19页 |
·ILC 束流的时间结构 | 第15-17页 |
·ILC-TPC 的门控方案 | 第17-18页 |
·ILC-TPC 对电子透过率的要求 | 第18-19页 |
·本文研究的主要内容和主要贡献 | 第19-20页 |
·研究主要内容 | 第19页 |
·本文的主要贡献 | 第19-20页 |
第2章 电子透过率. | 第20-24页 |
·电子透过率的定义 | 第20页 |
·电子透过率的通量研究 | 第20-23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
第3章 电子透过率的模拟方法 | 第24-36页 |
·模拟软件简介 | 第24-27页 |
·Maxwell 3D | 第24-26页 |
·Garfield | 第26-27页 |
·GEM 模型的模拟过程 | 第27-34页 |
·建立模型 | 第27-28页 |
·参数设置及计算 | 第28-29页 |
·结果分析 | 第29-31页 |
·气体计算 | 第31-32页 |
·模型读入 | 第32-33页 |
·电子传输过程 | 第33-34页 |
·结果分析 | 第34页 |
·本章小结 | 第34-36页 |
第4章 电子透过率的影响因素 | 第36-45页 |
·模拟计算 | 第36-44页 |
·气体成分的影响 | 第36-39页 |
·几何结构的影响 | 第39-41页 |
·漂移电场和传输电场的影响 | 第41-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第5章 电子透过率的实验方法 | 第45-48页 |
·电流测量方法 | 第45-46页 |
·能谱测量方法 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
第6章 结论 | 第48-50页 |
·研究总结 | 第48页 |
·需进一步开展的工作. | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
附录A | 第54-57页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第57页 |