| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-47页 |
| 1.1 斯格明子概述(skyrmion) | 第11-20页 |
| 1.1.1 斯格明子的发现 | 第12-14页 |
| 1.1.2 斯格明子的稳定机制 | 第14-17页 |
| 1.1.3 斯格明子的几种不同拓扑态 | 第17-20页 |
| 1.2 磁性斯格明子的材料体系 | 第20-27页 |
| 1.2.1 DMI手性磁体 | 第20-23页 |
| 1.2.2 界面DMI薄膜材料 | 第23-25页 |
| 1.2.3 偶极作用的中心对称材料 | 第25-27页 |
| 1.3 磁性斯格明子与电流的相互作用 | 第27-36页 |
| 1.3.1 衍生电磁场 | 第28-30页 |
| 1.3.2 拓扑霍尔效应 | 第30-33页 |
| 1.3.3 动力学行为 | 第33-35页 |
| 1.3.4 形核与湮灭 | 第35-36页 |
| 1.4 磁性斯格明子的表征 | 第36-43页 |
| 1.4.1 磁力显微镜(MFM) | 第36-37页 |
| 1.4.2 磁光克尔(MOKE) | 第37-39页 |
| 1.4.3 光电子激发电子显微术(PEEM) | 第39-41页 |
| 1.4.4 中子散射(SANS) | 第41-42页 |
| 1.4.5 微分相位衬度技术(DPC) | 第42-43页 |
| 1.5 磁性斯格明子的应用前景 | 第43-45页 |
| 1.6 选题依据及研究内容 | 第45-47页 |
| 第2章 实验方法 | 第47-73页 |
| 2.1 透射电子显微镜 | 第47-66页 |
| 2.1.1 透射电镜的结构及成像原理 | 第48-50页 |
| 2.1.2 选区电子衍射(SAED) | 第50-52页 |
| 2.1.3 电子能量损失谱(EELS) | 第52-53页 |
| 2.1.4 扫描透射电子显微术(STEM) | 第53-54页 |
| 2.1.5 洛伦兹电子显微术(LorentzTEM) | 第54-59页 |
| 2.1.6 电子全息术(EH) | 第59-63页 |
| 2.1.7 原位样品杆 | 第63-66页 |
| 2.2 透射电镜样品制备 | 第66-69页 |
| 2.2.1 机械手磨 | 第66-67页 |
| 2.2.2 聚焦离子束(FIB) | 第67-69页 |
| 2.3 磁输运表征 | 第69-72页 |
| 2.3.1 电子自旋共振谱仪(ESR) | 第70-71页 |
| 2.3.2 振动样品磁强计(VSM) | 第71页 |
| 2.3.3 超导量子干涉仪(SQUID) | 第71-72页 |
| 2.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第3章 中心对称MnNiGa材料中磁性双斯格明子研究 | 第73-105页 |
| 3.1 引言 | 第73-77页 |
| 3.2 材料与表征方法 | 第77页 |
| 3.3 磁性双斯格明子的实空间观察 | 第77-79页 |
| 3.4 磁性双斯格明子的场冷调控研究 | 第79-90页 |
| 3.4.1 场冷调控生成零场高密度的斯格明子 | 第80-81页 |
| 3.4.2 不同磁场的场冷调控对斯格明子密度的影响 | 第81-83页 |
| 3.4.3 零场稳定磁性斯格明子的产生机制 | 第83-90页 |
| 3.5 磁性双斯格明子的电流调控研究 | 第90-97页 |
| 3.5.1 电流调控斯格明子密度 | 第90-94页 |
| 3.5.2 电流诱导斯格明子形核及其动态行为 | 第94-95页 |
| 3.5.3 电流诱导形成零场稳定的斯格明子剩余态 | 第95-97页 |
| 3.6 磁性双斯格明子的多通道调控研究 | 第97-103页 |
| 3.6.1 条纹畴的磁结构分析 | 第98-99页 |
| 3.6.2 晶界限制对斯格明子的影响 | 第99-100页 |
| 3.6.3 样品倾斜对斯格明子构型的影响 | 第100-101页 |
| 3.6.4 面内磁场对斯格明子构型的影响 | 第101-102页 |
| 3.6.5 样品厚度对斯格明子的影响 | 第102-103页 |
| 3.7 本章小结 | 第103-105页 |
| 第4章 中心对称La1?xSrxMnO3材料中磁性斯格明子研究 | 第105-113页 |
| 4.1 引言 | 第105-106页 |
| 4.2 材料与表征方法 | 第106页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第106-111页 |
| 4.3.1 自发零场磁泡的形成 | 第106-107页 |
| 4.3.2 磁场诱导磁泡拓扑转变为磁性斯格明子 | 第107-109页 |
| 4.3.3 多种拓扑磁畴结构的解析 | 第109-111页 |
| 4.4 本章小结 | 第111-113页 |
| 第5章 非中心对称FeGe材料中磁性斯格明子研究 | 第113-127页 |
| 5.1 引言 | 第113-114页 |
| 5.2 材料与表征方法 | 第114-115页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第115-126页 |
| 5.3.1 晶体结构与磁结构 | 第115-117页 |
| 5.3.2 场冷调控实现宽温区且零场稳定的磁性斯格明子 | 第117-120页 |
| 5.3.3 斯格明子的时间弛豫动态行为 | 第120-123页 |
| 5.3.4 能量势垒的计算 | 第123-126页 |
| 5.4 本章小结 | 第126-127页 |
| 第6章 稀土化合物中磁性斯格明子的探索 | 第127-133页 |
| 6.1 引言 | 第127-129页 |
| 6.2 材料与表征方法 | 第129页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第129-132页 |
| 6.3.1 TbGe稀土化合物中斯格明子的探索 | 第129-131页 |
| 6.3.2 GdGe与GdSi稀土化合物中斯格明子的探索 | 第131-132页 |
| 6.4 本章小结与讨论 | 第132-133页 |
| 第7章 总结与展望 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-149页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第149-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
