| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 忆阻器的基本性能和机理 | 第13-16页 |
| 1.3 类突触器件的研究进展 | 第16-23页 |
| 1.4 论文选题意义及研究内容 | 第23-25页 |
| 2 忆阻器的器件制备与表征 | 第25-34页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 忆阻器材料的选择 | 第25-26页 |
| 2.3 薄膜生长技术 | 第26-28页 |
| 2.4 电极制作技术 | 第28-30页 |
| 2.5 结构与形貌表征技术 | 第30-32页 |
| 2.6 电学性能测试 | 第32-33页 |
| 2.7 光学性能测试 | 第33-34页 |
| 3 ITO/ZnO_(1-x)/AlO_y/Al忆阻器件制备和神经功能模拟 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 ITO/ZnO_(1-x)/AlO_y/Al忆阻器件的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 ITO/ZnO_(1-x)/AlO_y/Al忆阻器件的电阻转变特性和光电性能 | 第36-38页 |
| 3.4 ITO/ZnO_(1-x)/AlO_y/Al忆阻器模拟生物突触功能 | 第38-42页 |
| 3.5 ITO/ZnO_(1-x)/AlO_y/Al忆阻器电阻转变行为和光效应的机理研究 | 第42-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 Al/ZnO/Pd忆阻器件的制备和电阻易失性可调 | 第47-54页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 Al/ZnO/Pd忆阻器件的制备及基本特性 | 第47-48页 |
| 4.3 不同限制电流对Al/ZnO/Pd忆阻器件易失性调控 | 第48-49页 |
| 4.4 对不同易失性曲线拟合及机理分析 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 Al/ZnO/SiO_2/p-Si三端忆阻器的制备及性能 | 第54-64页 |
| 5.1 引言 | 第54-56页 |
| 5.2 三端忆阻器的制备 | 第56-59页 |
| 5.3 三端忆阻器的基本特性 | 第59-61页 |
| 5.4 离子液体对Al/ZnO/SiO_2/p-Si器件基本性能的影响 | 第61-62页 |
| 5.5 光对Al/ZnO/SiO_2/p-Si三端忆阻器的影响 | 第62-63页 |
| 5.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 6 总结与展望 | 第64-67页 |
| 6.1 论文总结 | 第64-65页 |
| 6.2 论文创新点 | 第65页 |
| 6.3 展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第76页 |
