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氟掺杂氧化锡薄膜制备及其微结构--光电性能研究

论文创新点第6-10页
摘要第10-12页
ABSTRACT第12-14页
第1章 绪论第15-31页
    1.1 透明导电氧化物的研究背景第16-20页
    1.2 透明导电氧化物薄膜的光电性能第20-22页
    1.3 透明导电氧化物薄膜的应用第22-24页
    1.4 TCOs薄膜的制备技术第24-27页
        1.4.1 物理气相沉积第24-25页
        1.4.2 化学气相沉积第25-26页
        1.4.3 热喷涂技术第26页
        1.4.4 溶胶-凝胶法第26-27页
    1.5 透明导电氧化物材料中的缺陷第27-28页
    1.6 本论文的选题意义第28-31页
第2章 实验方法第31-47页
    2.1 正电子简介第32-34页
    2.2 正电子湮没技术第34-41页
        2.2.1 正电子湮没寿命谱第35-39页
        2.2.2 正电子湮没多普勒展宽谱第39-41页
    2.3 霍尔效应第41-42页
    2.4 紫外-可见分光光度计第42页
    2.5 X射线衍射第42-44页
    2.6 原子力显微镜第44-45页
    2.7 X射线光电子能谱第45页
    2.8 光致发光光谱第45-47页
第3章 氟掺杂对电子束蒸发制备氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响第47-65页
    3.1 引言第48-49页
    3.2 实验部分第49-50页
        3.2.1 样品的制备第49页
        3.2.2 样品的表征第49-50页
    3.3 结果与讨论第50-64页
        3.3.1 FTO薄膜微结构和表面形貌研究第50-52页
        3.3.2 FTO薄膜中空位复合体的演变第52-57页
        3.3.3 FTO薄膜中氧空位的演变第57-61页
        3.3.4 FTO薄膜的光电性能研究第61-64页
    3.4 本章小结第64-65页
第4章 退火温度对电子束蒸发制备氟掺杂氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响第65-75页
    4.1 引言第66页
    4.2 实验部分第66-67页
        4.2.1 样品的制备第66-67页
        4.2.2 样品的表征第67页
    4.3 结果与讨论第67-74页
        4.3.1 FTO薄膜膜厚及折射率变化第67-68页
        4.3.2 FTO薄膜的形貌分析第68-69页
        4.3.3 慢正电子束多普勒展宽谱分析薄膜微结构演变第69-71页
        4.3.4 退火温度对FTO薄膜电学性能的影响第71-72页
        4.3.5 退火温度对FTO薄膜光学性能的影响第72-74页
    4.4 本章小结第74-75页
第5章 基板温度、退火温度对磁控溅射制备氟掺杂氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响第75-93页
    5.1 引言第76-78页
    5.2 实验部分第78-79页
        5.2.1 样品制备第78页
        5.2.2 样品表征第78-79页
    5.3 结果与讨论第79-91页
        5.3.1 FTO薄膜表面形貌分析第79-81页
        5.3.2 结合正电子湮没结果分析FTO薄膜微结构变化第81-87页
        5.3.3 FTO薄膜中氧空位随退火温度的演变第87-88页
        5.3.4 退火温度对FTO薄膜光电性能的影响第88-91页
    5.4 本章小结第91-93页
第6章 超临界二氧化碳处理对氟掺杂氧化锡薄膜微结构变化及光电性能的影响第93-107页
    6.1 引言第94-96页
    6.2 实验部分第96-98页
        6.2.1 样品制备第96-97页
        6.2.2 样品表征第97-98页
    6.3 结果与讨论第98-105页
        6.3.1 FTO薄膜表面形貌分析第98-99页
        6.3.2 FTO薄膜中的缺陷演变第99-102页
        6.3.3 FTO薄膜光电性能结果分析第102-105页
    6.4 本章小结第105-107页
第7章 全文总结及展望第107-111页
    7.1 本课题研究的主要结论第108-109页
    7.2 展望第109-111页
参考文献第111-129页
攻博期间发表的科研成果目录第129-131页
攻博期间参加学术会议第131-133页
攻博期间获得荣誉和奖励第133-135页
致谢第135-136页

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