论文创新点 | 第6-10页 |
摘要 | 第10-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
第1章 绪论 | 第15-31页 |
1.1 透明导电氧化物的研究背景 | 第16-20页 |
1.2 透明导电氧化物薄膜的光电性能 | 第20-22页 |
1.3 透明导电氧化物薄膜的应用 | 第22-24页 |
1.4 TCOs薄膜的制备技术 | 第24-27页 |
1.4.1 物理气相沉积 | 第24-25页 |
1.4.2 化学气相沉积 | 第25-26页 |
1.4.3 热喷涂技术 | 第26页 |
1.4.4 溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
1.5 透明导电氧化物材料中的缺陷 | 第27-28页 |
1.6 本论文的选题意义 | 第28-31页 |
第2章 实验方法 | 第31-47页 |
2.1 正电子简介 | 第32-34页 |
2.2 正电子湮没技术 | 第34-41页 |
2.2.1 正电子湮没寿命谱 | 第35-39页 |
2.2.2 正电子湮没多普勒展宽谱 | 第39-41页 |
2.3 霍尔效应 | 第41-42页 |
2.4 紫外-可见分光光度计 | 第42页 |
2.5 X射线衍射 | 第42-44页 |
2.6 原子力显微镜 | 第44-45页 |
2.7 X射线光电子能谱 | 第45页 |
2.8 光致发光光谱 | 第45-47页 |
第3章 氟掺杂对电子束蒸发制备氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响 | 第47-65页 |
3.1 引言 | 第48-49页 |
3.2 实验部分 | 第49-50页 |
3.2.1 样品的制备 | 第49页 |
3.2.2 样品的表征 | 第49-50页 |
3.3 结果与讨论 | 第50-64页 |
3.3.1 FTO薄膜微结构和表面形貌研究 | 第50-52页 |
3.3.2 FTO薄膜中空位复合体的演变 | 第52-57页 |
3.3.3 FTO薄膜中氧空位的演变 | 第57-61页 |
3.3.4 FTO薄膜的光电性能研究 | 第61-64页 |
3.4 本章小结 | 第64-65页 |
第4章 退火温度对电子束蒸发制备氟掺杂氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响 | 第65-75页 |
4.1 引言 | 第66页 |
4.2 实验部分 | 第66-67页 |
4.2.1 样品的制备 | 第66-67页 |
4.2.2 样品的表征 | 第67页 |
4.3 结果与讨论 | 第67-74页 |
4.3.1 FTO薄膜膜厚及折射率变化 | 第67-68页 |
4.3.2 FTO薄膜的形貌分析 | 第68-69页 |
4.3.3 慢正电子束多普勒展宽谱分析薄膜微结构演变 | 第69-71页 |
4.3.4 退火温度对FTO薄膜电学性能的影响 | 第71-72页 |
4.3.5 退火温度对FTO薄膜光学性能的影响 | 第72-74页 |
4.4 本章小结 | 第74-75页 |
第5章 基板温度、退火温度对磁控溅射制备氟掺杂氧化锡薄膜微结构及光电性能的影响 | 第75-93页 |
5.1 引言 | 第76-78页 |
5.2 实验部分 | 第78-79页 |
5.2.1 样品制备 | 第78页 |
5.2.2 样品表征 | 第78-79页 |
5.3 结果与讨论 | 第79-91页 |
5.3.1 FTO薄膜表面形貌分析 | 第79-81页 |
5.3.2 结合正电子湮没结果分析FTO薄膜微结构变化 | 第81-87页 |
5.3.3 FTO薄膜中氧空位随退火温度的演变 | 第87-88页 |
5.3.4 退火温度对FTO薄膜光电性能的影响 | 第88-91页 |
5.4 本章小结 | 第91-93页 |
第6章 超临界二氧化碳处理对氟掺杂氧化锡薄膜微结构变化及光电性能的影响 | 第93-107页 |
6.1 引言 | 第94-96页 |
6.2 实验部分 | 第96-98页 |
6.2.1 样品制备 | 第96-97页 |
6.2.2 样品表征 | 第97-98页 |
6.3 结果与讨论 | 第98-105页 |
6.3.1 FTO薄膜表面形貌分析 | 第98-99页 |
6.3.2 FTO薄膜中的缺陷演变 | 第99-102页 |
6.3.3 FTO薄膜光电性能结果分析 | 第102-105页 |
6.4 本章小结 | 第105-107页 |
第7章 全文总结及展望 | 第107-111页 |
7.1 本课题研究的主要结论 | 第108-109页 |
7.2 展望 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-129页 |
攻博期间发表的科研成果目录 | 第129-131页 |
攻博期间参加学术会议 | 第131-133页 |
攻博期间获得荣誉和奖励 | 第133-135页 |
致谢 | 第135-136页 |