| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 存储器概述 | 第10-11页 |
| 1.2 忆阻器研究概述 | 第11-19页 |
| 1.3 SnO_2忆阻器研究进展 | 第19-21页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第21-23页 |
| 2 忆阻器件的制备以及表征技术 | 第23-30页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 忆阻器制备流程 | 第24-27页 |
| 2.3 表征技术 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 Al/SnO_2:Mn/FTO结构忆阻器制备及性能研究 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 Al/SnO_2:Mn/FTO结构的忆阻器制备 | 第30-31页 |
| 3.3 SnO_2:Mn薄膜形貌与结构表征 | 第31-33页 |
| 3.4 SnO_2:Mn忆阻器性能测试及其分析 | 第33-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 Cu掺杂SnO_2忆阻器件的制备与阻变性能研究 | 第38-45页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 Al/SnO_2:Cu/FTO结构忆阻器的制备 | 第38-39页 |
| 4.3 SnO_2:Cu薄膜形貌及结构表征 | 第39-41页 |
| 4.4 SnO_2:Cu忆阻器性能及其机制分析 | 第41-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 5 Co掺杂电介质厚度对忆阻性能的影响 | 第45-52页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 Al/SnO_2:Co/FTO结构忆阻器的制备 | 第45-46页 |
| 5.3 SnO_2:Co薄膜形貌及结构表征 | 第46-48页 |
| 5.4 SnO_2:Co薄膜厚度对忆阻性能的影响 | 第48-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 6 总结与展望 | 第52-54页 |
| 6.1 总结 | 第52-53页 |
| 6.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第62页 |
