相变存储器双向脉冲操作特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第8-9页 |
| 1.2 相变存储器(PCRAM) | 第9-11页 |
| 1.3 相变存储器的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.4 相变存储器多值存储技术 | 第12-14页 |
| 1.5 双脉冲调制技术 | 第14-15页 |
| 1.6 论文目的和研究内容 | 第15-17页 |
| 2 双向操作实验设计 | 第17-25页 |
| 2.1 主要实验设备 | 第17-21页 |
| 2.2 相变存储单元样品制备流程 | 第21-23页 |
| 2.3 相变存储器电学性能参数 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 双向脉冲实验的Hspice仿真 | 第25-33页 |
| 3.1 仿真模型 | 第25-28页 |
| 3.2 双向脉冲幅值调制仿真 | 第28-29页 |
| 3.3 双向脉冲间隔调制仿真 | 第29-31页 |
| 3.4 双向脉冲脉宽调制仿真 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 双向脉冲调制实验和电阻漂移测试 | 第33-44页 |
| 4.1 测试方法及流程 | 第33-35页 |
| 4.2 样品基本性能 | 第35-37页 |
| 4.3 双向脉冲调制测试结果 | 第37-41页 |
| 4.4 电阻漂移测试 | 第41-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 5 结论和展望 | 第44-46页 |
| 5.1 工作总结 | 第44-45页 |
| 5.2 展望 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的主要论文和申请专利 | 第52页 |
