| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 电化学发光 | 第16页 |
| 1.2 常见的电化学发光体系 | 第16-19页 |
| 1.2.1 无机体系 | 第16-17页 |
| 1.2.2 有机体系 | 第17页 |
| 1.2.3 纳米材料体系 | 第17-19页 |
| 1.3 三联吡啶钌电化学发光反应机理 | 第19-21页 |
| 1.4 电化学发光传感器 | 第21-23页 |
| 1.4.1 电化学发光传感器概述 | 第21页 |
| 1.4.2 电化学发光传感器的分类 | 第21-23页 |
| 1.5 电化学发光信号放大策略 | 第23-25页 |
| 1.5.1 多功能纳米材料放大策略 | 第23-24页 |
| 1.5.2 分子内自增强放大策略 | 第24页 |
| 1.5.3 共振能量转移放大策略 | 第24-25页 |
| 1.6 电化学发光的分析应用 | 第25-26页 |
| 1.7 论文的指导思想 | 第26-28页 |
| 第2章 CdTe量子点增强型固相分子印迹电化学发光传感器用于超灵敏检测α-麦角隐亭 | 第28-42页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 实验仪器 | 第29页 |
| 2.2.2 实验试剂 | 第29-30页 |
| 2.2.3 合成CdTe QDs | 第30页 |
| 2.2.4 合成CdTe-Ru@SiO_2 NPs | 第30-31页 |
| 2.2.5 α-麦角隐亭印迹的电化学发光传感器的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.6 ECL测定 | 第32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 2.3.1 CdTe QDs的表征 | 第32-33页 |
| 2.3.2 CdTe-Ru@SiO_2 NPs的表征 | 第33-36页 |
| 2.3.3 MIP/CdTe@SiO_2/GCE和NIP/CdTe@SiO_2/GCE的表征 | 第36页 |
| 2.3.4 α-麦角隐亭印迹的电化学发光传感器的表征 | 第36-37页 |
| 2.3.5 电化学发光传感器检测目标α-麦角隐亭的条件优化 | 第37-38页 |
| 2.3.6 电化学发光传感器检测目标α-麦角隐亭 | 第38-39页 |
| 2.3.7 α-麦角隐亭印迹的电化学发光传感器的选择性、稳定性和重现性研究 | 第39-40页 |
| 2.3.8 实际样品检测 | 第40-41页 |
| 2.4 结论 | 第41-42页 |
| 第3章 RuSi-PEI纳米粒子固相电化学发光传感器的制备及其对普萘洛尔的分析检测 | 第42-53页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 3.2.1 实验仪器 | 第43页 |
| 3.2.2 实验试剂 | 第43-44页 |
| 3.2.3 合成RuSi-PEI NPs | 第44页 |
| 3.2.4 普萘洛尔印迹的电化学发光传感器的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.5 ECL测定 | 第45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-52页 |
| 3.3.1 RuSi-PEI NPs的形貌表征 | 第45-46页 |
| 3.3.2 RuSi-PEINPs的紫外表征 | 第46页 |
| 3.3.3 RuSi-PEI NPs的电化学发光行为表征 | 第46-47页 |
| 3.3.4 分子印迹行为表征 | 第47-48页 |
| 3.3.5 实验条件的优化 | 第48-50页 |
| 3.3.6 线性相关性测定 | 第50页 |
| 3.3.7 电化学发光传感器的选择性、稳定性 | 第50-52页 |
| 3.3.8 实际样品检测 | 第52页 |
| 3.4 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-68页 |
| 附录: 作者在攻读硕士期间已发表和待发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
