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SiC双极型功率半导体器件低功耗驱动技术研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 研究背景与意义第10-13页
        1.1.1 SiC功率半导体器件的发展概况第10-11页
        1.1.2 SiC功率半导体器件实际的应用第11-13页
    1.2 论文研究内容第13-15页
    1.3 论文组织结构第15-16页
第2章 典型的SiC双极型功率半导体器件概述第16-31页
    2.1 SiCBJT功率半导体器件第16-22页
        2.1.1 SiCBJT的基本结构第16-17页
        2.1.2 SiCBJT的工作原理第17-18页
        2.1.3 SiCBJT的工作特性第18-22页
    2.2 SiCGTO功率半导体器件第22-29页
        2.2.1 SiCGTO的基本结构第22-23页
        2.2.2 SiCGTO的工作原理第23-24页
        2.2.3 SiCGTO的工作特性第24-29页
    2.3 本章小结第29-31页
第3章 低功耗驱动电路的研究与整体方案的设计第31-56页
    3.1 典型的电流型驱动电路第31-36页
        3.1.1 典型的SiCBJT驱动电路第31-34页
        3.1.2 典型的SiGTO驱动电路第34-36页
    3.2 低功耗驱动电路设计思想第36-37页
    3.3 低功耗驱动电路的结构及器件选型第37-45页
        3.3.1 低功耗驱动电路的结构第37页
        3.3.2 器件的选型第37-45页
    3.4 采用功耗降低技术前的SiCGTO快速通断驱动电路第45-47页
        3.4.1 课题组已设计的SiCGTO驱动电路及测试第45-46页
        3.4.2 课题组已设计SiCGTO驱动电路的不足第46-47页
    3.5 低功耗驱动电路的整体设计方案第47-55页
        3.5.1 信号采集器第48-50页
        3.5.2 反馈检测开关元件第50-55页
    3.6 本章小结第55-56页
第4章 低功耗驱动电路的验证性测试与分析第56-82页
    4.1 基于PMOS场效应管控制电路的验证性测试及分析第57-63页
        4.1.1 基于PMOS场效应管控制电路的设计方案第57-59页
        4.1.2 基于PMOS场效应管控制电路的验证性测试第59-63页
    4.2 基于多个MOS场效应管控制电路的验证性测试与分析第63-70页
        4.2.1 基于多个MOS场效应管控制电路的设计方案第63-66页
        4.2.2 基于多个MOS场效应管控制电路的验证性测试第66-70页
    4.3 基于运算放大器控制电路的验证性测试与分析第70-79页
        4.3.1 基于运算放大器控制电路的设计方案第70-75页
        4.3.2 基于运算放大器控制电路的验证性测试第75-79页
    4.4 三种低功耗驱动电路设计方案的比较第79-80页
    4.5 关于低功耗驱动电路的进一步讨论第80页
    4.6 本章小结第80-82页
总结与展望第82-84页
    1.论文总结第82-83页
    2.研究展望第83-84页
参考文献第84-89页
致谢第89-90页
附录A 攻读学位期间科研成果及参与的科研项目第90页

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