| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 光敏探测器简介 | 第10-15页 |
| 1.2 钙钛矿光电器件 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的创新点及研究意义 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 钙钛矿光探测器结构原理及基础理论 | 第22-45页 |
| 2.1 有机金属卤代物钙钛矿 | 第22-29页 |
| 2.1.1 结构及其稳定性 | 第22-25页 |
| 2.1.2 光电性能 | 第25-26页 |
| 2.1.3 钙钛矿薄膜生长 | 第26-29页 |
| 2.2 有机-无机平面异质结性能及原理介绍 | 第29-34页 |
| 2.2.1 有机-无机平面异质结 | 第29-30页 |
| 2.2.2 有机光敏二极管的工作原理 | 第30-32页 |
| 2.2.3 有机光电导探测器的工作原理 | 第32-34页 |
| 2.3 近红外有机小分子光敏材料及酞菁铅薄膜的光电性质 | 第34-38页 |
| 2.3.1 有机近红外光敏材料酞菁铅 | 第34-36页 |
| 2.3.2 酞菁铅薄膜结构及其性能分析 | 第36-38页 |
| 2.4 有机小分子酞菁铅薄膜及器件金属电极制备工艺 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 第三章 基于p-Si/钙钛矿异质结的宽光谱光敏二极管 | 第45-68页 |
| 3.1 研究背景 | 第45-46页 |
| 3.2 实验及表征 | 第46-53页 |
| 3.2.1 实验步骤 | 第46-47页 |
| 3.2.2 器件测量及表征方法 | 第47-48页 |
| 3.2.3 器件结构设计及工作机理 | 第48-50页 |
| 3.2.4 PVP的修饰 | 第50-53页 |
| 3.3 性能和讨论 | 第53-61页 |
| 3.3.1 器件性能和机理分析 | 第53-59页 |
| 3.3.2 时间响应及器件可重复性 | 第59-61页 |
| 3.4 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 第四章 横向结构高灵敏钙钛矿光探测器 | 第68-89页 |
| 4.1 前言 | 第68-69页 |
| 4.2 实验 | 第69-70页 |
| 4.3 测量和性能表征 | 第70-71页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第71-82页 |
| 4.4.1 钙钛矿层性质及结晶性分析 | 第71-76页 |
| 4.4.2 器件性能表征和电极优化 | 第76-82页 |
| 4.5 器件电学性质的稳定性测试和分析 | 第82-84页 |
| 4.5.1 器件稳定性测试 | 第82-83页 |
| 4.5.2 铝器件的分析 | 第83-84页 |
| 4.5.3 器件重复性测试 | 第84页 |
| 4.6 本章总结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第五章 有机小分子/钙钛矿平面异质结柔性宽光谱光探测器. | 第89-114页 |
| 5.1 前言 | 第89-90页 |
| 5.2 钙钛矿材料合成及其薄膜工艺制备 | 第90-94页 |
| 5.2.1 钙钛矿薄膜的制备 | 第90-91页 |
| 5.2.2 PbPc/CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x平面异质结有机-无机杂合光敏器件的制备 | 第91-92页 |
| 5.2.3 器件测量及表征方法 | 第92-93页 |
| 5.2.4 酞菁铅的光敏性 | 第93页 |
| 5.2.5 暗电流与光电流 | 第93页 |
| 5.2.6 钙钛矿/酞菁铅光敏探测器的时间响应测试 | 第93-94页 |
| 5.3 器件测试结果及性能参数 | 第94-101页 |
| 5.4 结果讨论 | 第101-109页 |
| 5.4.1 光电性能分析 | 第101-105页 |
| 5.4.2 稳定性测试 | 第105-107页 |
| 5.4.3 柔性测试 | 第107-109页 |
| 5.5 总结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-114页 |
| 第六章 总结与展望 | 第114-116页 |
| 6.1 总结 | 第114-115页 |
| 6.2 展望 | 第115-116页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第116-118页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第118-120页 |
| 在学期间的研究成果 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
