| 摘要 | 第8-12页 |
| ABSTRACT | 第12-16页 |
| 符号表 | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-33页 |
| §1-1 GaN电子器件的应用优势 | 第19-21页 |
| §1-2 AlGaN/GaN HFETs的研究历史及现状 | 第21-24页 |
| 1-2-1 国外研究进展及现状 | 第21-23页 |
| 1-2-2 国内研究进展及现状 | 第23-24页 |
| §1-3 InAlN/GaN HFETs和AlN/GaN HFETs的研究进展 | 第24-26页 |
| §1-4 本论文的研究内容及安排 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第二章 GaN材料及其异质结场效应晶体管 | 第33-43页 |
| §2-1 GaN材料的特性 | 第33-35页 |
| §2-2 AlGaN/GaN异质结二维电子气的形成 | 第35-41页 |
| 2-2-1 自发极化效应 | 第35-36页 |
| 2-2-2 压电极化效应 | 第36-38页 |
| 2-2-3 二维电子气的形成 | 第38-41页 |
| §2-3 AlGaN/GaN HFETs的工作机理 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 器件的制备与测试 | 第43-53页 |
| §3-1 GaN HFETs异质结材料的生长 | 第43-47页 |
| 3-1-1 衬底材料的选择 | 第43-44页 |
| 3-1-2 缓冲层 | 第44-45页 |
| 3-1-3 外延生长技术 | 第45-46页 |
| 3-1-4 本文采用的异质外延方法及材料结构 | 第46-47页 |
| §3-2 GaN HFETs的器件制备工艺 | 第47-49页 |
| 3-2-1 刻蚀工艺 | 第47页 |
| 3-2-2 欧姆接触 | 第47-48页 |
| 3-2-3 肖特基接触 | 第48-49页 |
| §3-3 GaN异质结材料及器件特性的测试 | 第49-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 AlGaN/AlN/GaN HFETs线性区的电子迁移率研究 | 第53-69页 |
| §4-1 器件结构及制备 | 第53-54页 |
| §4-2 AlGaN/AlN/GaN HFETs的物理特性模拟 | 第54-60页 |
| §4-3 AlGaN/AlN/GaN HFETs线性区内的2DEG电子迁移率 | 第60-67页 |
| 4-3-1 主要的散射机制 | 第60-63页 |
| 4-3-2 线性区内的2DEG电子迁移率 | 第63-67页 |
| §4-4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 沟道电场分布对AlGaN/AlN/GaN HFETs电子迁移率的影响 | 第69-84页 |
| §5-1 器件制备 | 第69-70页 |
| §5-2 沟道电场分布对2DEG电子迁移率的影响 | 第70-77页 |
| §5-3 器件尺寸对AlGaN/AlN/GaN HFETs电子迁移率的影响 | 第77-81页 |
| §5-4 本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第六章 InAlN/AlN/GaN HFETs和AlN/GaN HFETs的2DEG电子迁移率研究 | 第84-97页 |
| §6-1 器件结构及制备 | 第84-86页 |
| §6-2 InAlN/AlN/GaN HFETs的电子迁移率研究 | 第86-90页 |
| §6-3 AlN/GaN HFETs的电子迁移率研究 | 第90-95页 |
| §6-4 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第七章 结论 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第102-128页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第128页 |
