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镁锂合金阳极氧化膜的制备及耐蚀性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第11-26页
    1.1 课题研究的目的与意义第11-12页
    1.2 镁锂合金的腐蚀与表面处理技术第12-19页
        1.2.1 镁锂合金的腐蚀第12-13页
        1.2.2 镁锂合金表面处理技术第13-19页
    1.3 镁合金的阳极氧化工艺第19-24页
        1.3.1 电源控制方式对阳极氧化膜的影响第20-21页
        1.3.2 添加剂对阳极氧化膜的影响第21-22页
        1.3.3 阳极氧化膜的封孔处理第22-24页
    1.4 课题的主要研究内容第24-26页
第二章 实验部分第26-32页
    2.1 实验材料与仪器第26-27页
    2.2 镁锂合金阳极氧化膜的制备第27-29页
        2.2.1 前处理工艺过程第27页
        2.2.2 阳极氧化工艺第27-28页
        2.2.3 添加剂对氧化膜性能的影响第28页
        2.2.4 封孔对氧化膜性能的影响第28-29页
    2.3 氧化膜表面形貌及化学组成的表征第29-30页
        2.3.1 氧化膜表面形貌(SEM)分析第29页
        2.3.2 X-射线衍射(XRD)分析第29-30页
        2.3.3 X-射线能量色散谱(EDS)分析第30页
    2.4 氧化膜耐蚀性能的研究方法第30-32页
        2.4.1 动电位极化曲线测试第30页
        2.4.2 电化学阻抗谱(EIS)分析第30页
        2.4.3 Mott-Schottky曲线分析第30页
        2.4.4 全浸蚀试验第30-31页
        2.4.5 点滴试验第31-32页
第三章 镁锂合金阳极氧化膜的性能研究第32-45页
    3.1 电流密度对镁锂合金阳极氧化膜的性能的影响第32-38页
        3.1.1 氧化膜表面形貌第32-33页
        3.1.2 Mott-Schottky曲线分析第33-35页
        3.1.3 极化曲线分析第35-36页
        3.1.4 交流阻抗分析第36-38页
    3.2 氧化时间对镁锂合金阳极氧化膜的性能的影响第38-43页
        3.2.1 氧化膜表面形貌第38-39页
        3.2.2 Mott-Schottky曲线分析第39-40页
        3.2.3 极化曲线分析第40-41页
        3.2.4 交流阻抗分析第41-43页
    3.3 本章小结第43-45页
第四章 添加剂对镁锂合金阳极氧化影响的研究第45-59页
    4.1 邻苯二甲酸氢钾对阳极氧化膜的影响第45-51页
        4.1.1 KAP对膜层表面形貌的影响第45-46页
        4.1.2 KAP浓度对氧化膜晶相结构的影响第46-47页
        4.1.3 电子能谱分析第47-48页
        4.1.4 极化曲线分析第48-49页
        4.1.5 交流阻抗分析第49-50页
        4.1.6 全浸蚀试验第50-51页
    4.2 三乙醇胺对镁锂合金阳极氧化膜的影响第51-58页
        4.2.1 TEA对膜层表面形貌的影响第52-53页
        4.2.2 TEA浓度对氧化膜晶相结构的影响第53页
        4.2.3 电子能谱分析第53-54页
        4.2.4 极化曲线分析第54-55页
        4.2.5 交流阻抗分析第55-57页
        4.2.6 全浸蚀试验第57-58页
    4.3 本章小结第58-59页
第五章 镁锂合金阳极氧化膜的封孔处理第59-75页
    5.1 丙烯酸树脂对阳极氧化膜的封孔处理第59-67页
        5.1.1 固化时间对封孔效果的影响第59-63页
        5.1.2 固化温度对封孔效果的影响第63-67页
    5.2 化学镀镍对阳极氧化膜的封孔处理第67-73页
        5.2.1 化学镀镍封孔后膜层的微观形貌第67-69页
        5.2.2 表面的电子能谱分析(面扫)第69-70页
        5.2.3 断面的电子能谱分析(面扫)第70-71页
        5.2.4 极化曲线分析第71-73页
        5.2.5 封孔后膜层晶相结构分析第73页
    5.3 本章小结第73-75页
结论第75-76页
参考文献第76-84页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第84-85页
致谢第85页

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