NMOS晶体管总剂量辐照效应的电流模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究课题背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 辐照总剂量效应研究动态 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 总剂量辐照原理 | 第14-25页 |
| 2.1 总剂量辐照原理叙述 | 第14-19页 |
| 2.1.1 电子-空穴对的产生 | 第14-16页 |
| 2.1.2 氧化层内陷阱电荷的形成 | 第16-17页 |
| 2.1.3 氧化层界面态陷阱形成 | 第17-19页 |
| 2.2 总剂量效应对MOS器件性能的影响 | 第19-21页 |
| 2.2.1 阈值电压的漂移 | 第19页 |
| 2.2.2 漏电通路 | 第19-21页 |
| 2.2.3 迁移率的退化 | 第21页 |
| 2.3 偏压对辐照效应的影响 | 第21-24页 |
| 2.3.1 偏压对辐照诱生缺陷形成过程的影响 | 第21-22页 |
| 2.3.2 偏压对缺陷形成中参数的影响 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 辐照实验与结果分析 | 第25-37页 |
| 3.1 辐照实验方案 | 第25-26页 |
| 3.2 NMOS管辐照测试结果分析 | 第26-36页 |
| 3.2.1 亚阈值特性曲线结果分析 | 第26-29页 |
| 3.2.2 输出特性曲线结果分析 | 第29-31页 |
| 3.2.3 固定电荷和界面态的提取 | 第31-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 辐照诱生缺陷和电流模型 | 第37-60页 |
| 4.1 总剂量辐照模型 | 第37-45页 |
| 4.1.1 氧化层固定电荷和界面态模型建立 | 第37-41页 |
| 4.1.2 鸟嘴区电荷等效建模 | 第41-44页 |
| 4.1.3 电流模型的建模 | 第44-45页 |
| 4.2 模型的求解与讨论 | 第45-53页 |
| 4.3 模型的验证 | 第53-56页 |
| 4.4 辐照诱生缺陷和电流的拟合 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
