| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 红外焦平面探测器 | 第10-16页 |
| 1.2.1 InSb面阵探测器的工作原理 | 第10-13页 |
| 1.2.2 红外探测器的分类 | 第13-15页 |
| 1.2.3 红外探测器的发展历程 | 第15-16页 |
| 1.3 红外焦平面探测器结构稳定性研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3.1 红外焦平面探测器的失效分析现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 大面阵探测器的失效裂纹研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 课题内容和方法 | 第18-19页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第19-21页 |
| 第2章 内聚力模型 | 第21-33页 |
| 2.1 断裂力学基本知识 | 第21-22页 |
| 2.2 内聚力模型的发展和应用 | 第22-23页 |
| 2.3 内聚力模型理论 | 第23-26页 |
| 2.3.1 内聚力模型概念 | 第23-24页 |
| 2.3.2 四种典型的牵引-分离法则 | 第24-26页 |
| 2.4 双线性内聚力模型 | 第26-31页 |
| 2.4.1 原理介绍 | 第26-29页 |
| 2.4.2 内聚力元素 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 In Sb面阵探测器的建模和参数选取 | 第33-49页 |
| 3.1 ANSYS软件的基本知识 | 第33-36页 |
| 3.1.1 ANSYS软件简介 | 第33-34页 |
| 3.1.2 ANSYS软件结构断裂分析 | 第34-36页 |
| 3.2 128×128阵列InSb大面阵探测器等效模型建立 | 第36-40页 |
| 3.2.1 等效建模原理 | 第36-37页 |
| 3.2.2 InSb面阵探测器失效模型建立 | 第37-40页 |
| 3.3 InSb面阵探测器材料参数选取 | 第40-44页 |
| 3.3.1 InSb面阵探测器材料相关参数选取 | 第40-41页 |
| 3.3.2 In柱粘塑性Anand本构方程描述 | 第41-42页 |
| 3.3.3 底充胶材料模型选取 | 第42-43页 |
| 3.3.4 InSb芯片失效裂纹参数选取 | 第43-44页 |
| 3.4 InSb面阵探测器载荷的施加以及求解 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 基于CZM的In Sb面阵探测器仿真结果和分析 | 第49-67页 |
| 4.1 I型失效模式可行性分析 | 第49-50页 |
| 4.2 InSb芯片脱落失效仿真和分析 | 第50-55页 |
| 4.2.1 InSb芯片表面应变分析 | 第50-53页 |
| 4.2.2 与传统InSb面阵探测器结构应变分析对比 | 第53-55页 |
| 4.3 InSb芯片碎裂失效研究 | 第55-62页 |
| 4.3.1 InSb芯片脱落分析 | 第55-59页 |
| 4.3.2 InSb芯片裂纹扩展研究 | 第59-62页 |
| 4.4 一种新型三维裂纹扩展建模及分析 | 第62-65页 |
| 4.4.1 内聚力元素的建立 | 第62-64页 |
| 4.4.2 收敛性分析 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 结论与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 课题总结 | 第67-68页 |
| 5.2 课题展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第76页 |
