| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 半导体材料的发展简介 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnXY_2的研究现状 | 第13页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第13-15页 |
| 第二章 基本理论与计算方法 | 第15-23页 |
| 2.1 理论计算简介 | 第15页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第15-22页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15-16页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第16-17页 |
| 2.2.3 交换关联能泛函 | 第17页 |
| 2.2.4 结构优化 | 第17页 |
| 2.2.5 弹性性能的计算 | 第17-19页 |
| 2.2.6 热力学性能计算 | 第19-20页 |
| 2.2.7 电子结构的计算 | 第20页 |
| 2.2.8 光学性质的计算 | 第20-22页 |
| 2.3 计算软件VASP简介 | 第22-23页 |
| 第三章 ZnSiY_2(Y=P、As和Sb)物理性能的第一原理研究 | 第23-40页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 计算细节 | 第23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-39页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第23-25页 |
| 3.3.2 弹性性能 | 第25-26页 |
| 3.3.3 电子结构 | 第26-29页 |
| 3.3.4 光学性能 | 第29-35页 |
| 3.3.5 热力学性能 | 第35-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 ZnGeY_2(Y=P、As和Sb)物理性能的第一原理研究 | 第40-57页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 计算方法 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-56页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第40-41页 |
| 4.3.2 弹性性能 | 第41-42页 |
| 4.3.3 电子结构 | 第42-46页 |
| 4.3.4 光学性能 | 第46-52页 |
| 4.3.5 热力学性能 | 第52-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 ZnSnY_2(Y=P、As和Sb)物理性能的第一原理研究 | 第57-74页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 计算方法 | 第57页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第57-73页 |
| 5.3.1 晶体结构 | 第57-58页 |
| 5.3.2 弹性性能 | 第58-59页 |
| 5.3.3 电子结构 | 第59-63页 |
| 5.3.4 光学性能 | 第63-69页 |
| 5.3.5 热力学性能 | 第69-73页 |
| 5.4 小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82页 |
