| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 功放线性化技术国内外发展状态 | 第10-14页 |
| 1.3 本论文的主要工作和结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 功率放大器的非线性特性及线性化技术 | 第16-27页 |
| 2.1 功率放大器的非线性失真特性 | 第16-19页 |
| 2.1.1 功放的幅度与相位失真特性 | 第16-18页 |
| 2.1.2 功率放大器的三阶交调失真 | 第18-19页 |
| 2.2 功率放大器的线性化技术 | 第19-26页 |
| 2.2.1 负反馈技术 | 第19-20页 |
| 2.2.2 前馈技术 | 第20-21页 |
| 2.2.3 非线性器件技术 | 第21页 |
| 2.2.4 预失真技术 | 第21-26页 |
| 2.2.5 各种线性化技术的比较 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 内嵌模拟预失真结构的功率放大器的研制 | 第27-58页 |
| 3.1 GaAspHEMT的特性 | 第27-29页 |
| 3.1.1 GaAspHEMT的结构 | 第27-28页 |
| 3.1.2 GaAspHEMT的器件模型 | 第28-29页 |
| 3.2 基于pHEMT的模拟预失真器的基本原理 | 第29-32页 |
| 3.3 级联功放和内嵌模拟预失真结构的功放设计与分析 | 第32-50页 |
| 3.3.1 设计指标 | 第32-33页 |
| 3.3.2 总体设计考虑及技术方案 | 第33-38页 |
| 3.3.3 匹配电路的设计 | 第38-42页 |
| 3.3.4 整体设计与仿真验证 | 第42-50页 |
| 3.4 级联功放和内嵌模拟预失真结构功放的在片测试与分析 | 第50-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 应用于Ka波段功放的改进型冷模预失真器的研制 | 第58-78页 |
| 4.1 改进型cold-FET预失真线性化器的基本原理 | 第58-63页 |
| 4.1.1 相位延迟预失真线性化器 | 第60-61页 |
| 4.1.2 带二极管的预失真线性化器 | 第61-63页 |
| 4.2 具有改进型cold-FET预失真器的功率放大器的设计与分析 | 第63-77页 |
| 4.2.1 设计指标及具体要求 | 第63页 |
| 4.2.2 总体设计考虑与技术方案 | 第63-64页 |
| 4.2.3 功放中的电路设计 | 第64-69页 |
| 4.2.4 整体设计与联合仿真 | 第69-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-80页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第78页 |
| 5.2 展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第85页 |
