InSe和MoTe2的角分辨光电子能谱的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 二维材料及其研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2 二维材料的晶体结构 | 第9-12页 |
| 1.2.1 TMDCs | 第9-10页 |
| 1.2.2 Ⅲ-Ⅵ族二维材料 | 第10-12页 |
| 第二章 二维材料的制备方法及表征手段 | 第12-19页 |
| 2.1 二维材料的制备方法 | 第12-14页 |
| 2.1.1 CVD | 第12-13页 |
| 2.1.2 MBE | 第13-14页 |
| 2.2 二维材料的表征手段 | 第14-19页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第15-16页 |
| 2.2.2 X射线能量色散谱(EDS) | 第16-17页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第17-18页 |
| 2.2.4 ARPES | 第18-19页 |
| 第三章 角分辨光电子能谱仪 | 第19-30页 |
| 3.1 角分辨光电子能谱基本原理 | 第19-21页 |
| 3.2 自旋角分辨光电子能谱的基本原理 | 第21-24页 |
| 3.3 角分辨光电子谱仪 | 第24-30页 |
| 第四章 InSe的电子结构 | 第30-39页 |
| 4.1 研究背景 | 第30-31页 |
| 4.2 实验细节 | 第31-32页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第32-37页 |
| 4.4 结论 | 第37-39页 |
| 第五章 MoTe_2的能带及其自旋信号 | 第39-44页 |
| 5.1 研究背景 | 第39-40页 |
| 5.2 能带结构 | 第40-42页 |
| 5.3 自旋结果 | 第42-44页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 发表的文章目录 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
