| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 本论文 | 第13-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-48页 |
| 2.1 溶液工艺发光二极管 | 第14-21页 |
| 2.1.1 溶液工艺发光二极管的优势 | 第14-16页 |
| 2.1.2 溶液工艺发光二极管的典型器件结构 | 第16-17页 |
| 2.1.3 溶液工艺发光二极管的工作原理和界面层性质对其性能的影响 | 第17-19页 |
| 2.1.4 溶液工艺发光二极管的氧化物界面层 | 第19-21页 |
| 2.2 ZnO纳米晶薄膜电子注入层 | 第21-35页 |
| 2.2.1 高温相ZnO纳米晶的合成和性质调控 | 第22-27页 |
| 2.2.2 低温相ZnO纳米晶的合成和性质调控 | 第27-29页 |
| 2.2.3 ZnO纳米晶薄膜的光电性质 | 第29-30页 |
| 2.2.4 ZnO纳米晶薄膜在溶液工艺OLED中的应用 | 第30-35页 |
| 2.3 溶液工艺NiO_x薄膜空穴注入层 | 第35-48页 |
| 2.3.1 NiO_x薄膜的溶液制备工艺 | 第36-38页 |
| 2.3.2 溶液工艺NiO_x薄膜的光电性质 | 第38-39页 |
| 2.3.3 溶液工艺NiO_x薄膜性质调控常用的后处理方法 | 第39-42页 |
| 2.3.4 QLED的发展进程和溶液工艺NiO_x薄膜在QLED中的应用 | 第42-48页 |
| 第三章 实验方法与表征技术 | 第48-64页 |
| 3.1 实验所需试剂和材料 | 第48-49页 |
| 3.2 实验方法 | 第49-53页 |
| 3.2.1 In(St)_3和In(Eh)_3前驱体的合成 | 第49页 |
| 3.2.2 高温相ZnO/IZO胶体纳米晶的合成、配体交换和提纯 | 第49-50页 |
| 3.2.3 前驱体初始反应速率的测量 | 第50-51页 |
| 3.2.4 OLED器件的制备与表征 | 第51页 |
| 3.2.5 NiO_x薄膜的制备和表面小分子层修饰 | 第51-52页 |
| 3.2.6 低温乙醇相ZnO和ZnMgO纳米晶的合成 | 第52页 |
| 3.2.7 单空穴器件(Hole only device)的制备 | 第52页 |
| 3.2.8 CdSe/CdS量子点的配体交换 | 第52-53页 |
| 3.2.9 QLEDs器件的制备 | 第53页 |
| 3.3 表征技术 | 第53-64页 |
| 3.3.1 透射电子显微镜(TEM) | 第53页 |
| 3.3.2 高角环形暗场像(HAADF) | 第53-54页 |
| 3.3.3 傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第54页 |
| 3.3.4 瞬态荧光光谱(TCSPC) | 第54页 |
| 3.3.5 光电子能谱(PES) | 第54-58页 |
| 3.3.6 开尔文探针(Kelvin probe) | 第58-60页 |
| 3.3.7 原子力显微镜和开尔文探针扫描显微镜(AFM&SKPM) | 第60-61页 |
| 3.3.8 发光二极管电流密度-电压-亮度(J-V-L)和效率测试系统 | 第61-62页 |
| 3.3.9 发光二极管寿命测试系统 | 第62-64页 |
| 第四章 IZO胶体纳米晶的可控合成及在OLED中的应用 | 第64-86页 |
| 4.1 背景介绍 | 第64-65页 |
| 4.2 IZO胶体纳米晶的可控合成 | 第65-71页 |
| 4.2.1 铟盐前驱体的选择 | 第65-69页 |
| 4.2.2 IZO胶体纳米晶的结构和化学性质 | 第69-71页 |
| 4.3 IZO胶体纳米晶的配体交换和光学性质 | 第71-75页 |
| 4.3.1 IZO胶体纳米晶的配体交换 | 第71-73页 |
| 4.3.2 配体交换后IZO胶体纳米晶的光学性质 | 第73-75页 |
| 4.4 IZO胶体纳米晶薄膜的制备和光电性质 | 第75-80页 |
| 4.4.1 IZO胶体纳米晶薄膜的制备 | 第75-77页 |
| 4.4.2 IZO胶体纳米晶薄膜的光电性质 | 第77-80页 |
| 4.5 以IZO胶体纳米晶薄膜为电子注入层的OLED器件 | 第80-85页 |
| 4.6 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 NiO_x薄膜的表面极性小分子修饰 | 第86-108页 |
| 5.1 背景介绍 | 第86-87页 |
| 5.2 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰提高功函数的物理、化学模型 | 第87-90页 |
| 5.3 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的探索和优化 | 第90-94页 |
| 5.3.1 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的探索 | 第90-92页 |
| 5.3.2 工艺参数对NiO_x薄膜表面极性小分子修饰效果的影响 | 第92-94页 |
| 5.4 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的性质 | 第94-99页 |
| 5.4.1 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的表面功函数和表面特性 | 第94-96页 |
| 5.4.2 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜表面功函数的稳定性 | 第96-97页 |
| 5.4.3 表面极性小分子修饰对NiCK薄膜淬灭作用的影响 | 第97-99页 |
| 5.5 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的普适性 | 第99-102页 |
| 5.5.1 表面极性小分子修饰在小分子选择方面的普适性 | 第99-100页 |
| 5.5.2 表面极性小分子修饰方法对不同NiO_x薄膜的普适性 | 第100-102页 |
| 5.6 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的空穴注入性能 | 第102-105页 |
| 5.7 本章小结 | 第105-108页 |
| 第六章 基于NiO_x薄膜空穴注入层的量子点发光二极管 | 第108-130页 |
| 6.1 背景介绍 | 第108-109页 |
| 6.2 Poly-TPD空穴传输层抑制NiO_x薄膜对量子点的淬灭作用 | 第109-110页 |
| 6.3 以NiO_x为HIL的QLED器件的出光率 | 第110-114页 |
| 6.4 以NiO_x为HIL的QLED器件对ITO衬底平整度的特殊要求 | 第114-123页 |
| 6.4.1 NiO_x薄膜上各功能层薄膜加工工艺的可行性 | 第114-117页 |
| 6.4.2 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件的电流异常 | 第117-120页 |
| 6.4.3 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件电流异常的原因及背后的物理过程 | 第120-123页 |
| 6.5 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件的性能 | 第123-127页 |
| 6.6 本章小结 | 第127-130页 |
| 第七章 总结和展望 | 第130-134页 |
| 7.1 总结 | 第130-131页 |
| 7.2 展望 | 第131-134页 |
| 参考文献 | 第134-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 个人简历 | 第146-148页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第148页 |
