| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 宽禁带半导体氧化镓简介 | 第14-16页 |
| 1.3 氧化镓日盲紫外探测器的国内外研究历史与现状 | 第16-20页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法与装置介绍 | 第21-30页 |
| 2.1 分子束外延设备简介 | 第21-22页 |
| 2.2 氧化镓薄膜的后退火装置简介 | 第22-23页 |
| 2.3 氧化镓薄膜的表征方法与装置 | 第23-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第23-24页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.4 氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器简介 | 第25-29页 |
| 2.4.1 器件结构与原理 | 第25-26页 |
| 2.4.2 主要性能参数 | 第26-28页 |
| 2.4.3 器件测试方法与装置 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 氧化镓薄膜材料特性的优化及其对光电导性能的影响 | 第30-46页 |
| 3.1 氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器的制备 | 第30-32页 |
| 3.2 退火对氧化镓薄膜质量及光电导特性的影响 | 第32-38页 |
| 3.2.1 退火对氧化镓薄膜质量的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.2 退火对氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器性能的影响 | 第34-38页 |
| 3.3 基片原位退火对氧化镓薄膜质量及光电导特性的影响 | 第38-45页 |
| 3.3.1 基片原位退火对氧化镓薄膜质量的影响 | 第39-43页 |
| 3.3.2 基片原位退火对光电导日盲紫外探测器性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 面向大面阵的氧化镓薄膜光电导探测器结构探索 | 第46-61页 |
| 4.1 氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器的缩放特性 | 第46-51页 |
| 4.2 二极管辅助光电导探测器的研究 | 第51-59页 |
| 4.2.1 器件的结构与工作原理 | 第51-54页 |
| 4.2.2 器件的制备及性能 | 第54-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
