高di/dt的IGBT的分析与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 IGBT概述 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状和发展态势 | 第12-14页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 IGBT基本理论 | 第15-34页 |
| 2.1 IGBT工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 IGBT的安全工作区 | 第16页 |
| 2.3 IGBT的正向安全工作区 | 第16-25页 |
| 2.3.1 IGBT的开启过程 | 第17-18页 |
| 2.3.2 开启过程中的安全工作区 | 第18-21页 |
| 2.3.3 开启过程中的安全工作区的影响因素 | 第21-25页 |
| 2.4 IGBT的反向安全工作区 | 第25-30页 |
| 2.4.1 IGBT的关断过程 | 第25-27页 |
| 2.4.2 IGBT关断过程中的反向安全工作区 | 第27-29页 |
| 2.4.3 关断过程中的安全工作区的影响因素 | 第29-30页 |
| 2.5 IGBT的di/dt分析 | 第30-33页 |
| 2.5.1 di/dt的危害 | 第30-31页 |
| 2.5.2 提高di/dt能力的方法 | 第31-32页 |
| 2.5.3 衡量IGBT的di/dt能力的方式 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 汽车点火系统中的IGBT | 第34-41页 |
| 3.1 汽车点火系统简介 | 第34页 |
| 3.2 应用在点火系统中的IGBT | 第34-40页 |
| 3.2.1 点火系统中IGBT的基本要求 | 第34-36页 |
| 3.2.2 点火IGBT的工作原理 | 第36-38页 |
| 3.2.3 点火IGBT的主要可靠性参数 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 高di/dt的IGBT的设计 | 第41-62页 |
| 4.1 高di/dt的IGBT的设计指标 | 第41页 |
| 4.2 高di/dt的IGBT的工艺步骤 | 第41-42页 |
| 4.3 高di/dt的IGBT的元胞设计 | 第42-54页 |
| 4.3.1 N-漂移区厚度与电阻率的设计 | 第45-46页 |
| 4.3.2 P-body的仿真设计 | 第46-47页 |
| 4.3.3 N-buffer缓冲层的设计 | 第47-53页 |
| 4.3.4 元胞大小的设计 | 第53-54页 |
| 4.4 高di/dt的IGBT的终端设计 | 第54-56页 |
| 4.5 最终的元胞尺寸和工艺步骤 | 第56-58页 |
| 4.6 高di/dt的IGBT的版图设计 | 第58-61页 |
| 4.7 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 测试 | 第62-65页 |
| 5.1 流片测试 | 第62页 |
| 5.2 阈值电压Vth的测试 | 第62页 |
| 5.3 正向C-E间的测试 | 第62-63页 |
| 5.4 反向E-C间的测试 | 第63-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
