| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 引言 | 第8-16页 |
| 1.1 Mott绝缘体SrCrO_3概述及相关背景介绍 | 第8-14页 |
| 1.1.1 Mott绝缘体简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 晶体场理论和Jahn-Teller畸变 | 第9-12页 |
| 1.1.3 Mott绝缘体SrCrO_3的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.1.4 Mott绝缘体SrCrO_3的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2 论文选题的意义及研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 材料与方法 | 第16-35页 |
| 2.1 透射电镜基本原理 | 第16-18页 |
| 2.2 电子与物质的相互作用 | 第18-19页 |
| 2.3 电子衍射基础 | 第19-23页 |
| 2.4 高分辨电子显微学 | 第23-25页 |
| 2.5 电子能量损失谱学 | 第25-31页 |
| 2.5.1 基本原理和特点 | 第25-26页 |
| 2.5.2 分析模式 | 第26-27页 |
| 2.5.3 电子能量损失谱的方向依赖性 | 第27-28页 |
| 2.5.4 电子能量损失谱的应用 | 第28-31页 |
| 2.6 扫描透射电子显微学 | 第31-32页 |
| 2.7 第一性原理计算方法 | 第32-35页 |
| 第3章 结果 | 第35-40页 |
| 3.1 电子束辐照下对SrCrO_3的TEM实验研究 | 第35-37页 |
| 3.2 电子能量损失谱的研究分析 | 第37-40页 |
| 第4章 讨论 | 第40-47页 |
| 4.1 电子束辐照引起的三种调制结构的构造 | 第40-45页 |
| 4.2 第一性原理计算结果 | 第45-47页 |
| 第5章 结论与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
