摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-28页 |
1.1 阻变存储器概述 | 第11-18页 |
1.1.1 阻变存储器器件特性 | 第13-14页 |
1.1.2 阻变存储器器件类型 | 第14-15页 |
1.1.3 阻变存储器器件存储机理 | 第15-18页 |
1.2 阻变存储器器件的制备与测试 | 第18-21页 |
1.2.1 阻变存储器器件的制备 | 第18-20页 |
1.2.2 阻变存储器件的性能表征 | 第20-21页 |
1.3 钙钛矿材料概述 | 第21-22页 |
1.4 钙钛矿阻变存储器件的研究现状与进展 | 第22-25页 |
1.5 本课题的研究内容与意义 | 第25-28页 |
1.5.1 研究思路 | 第25页 |
1.5.2 主要研究内容 | 第25-27页 |
1.5.3 课题的创新点及意义 | 第27-28页 |
2 实验原料、试剂及仪器 | 第28-32页 |
2.1 实验原料与试剂 | 第28-29页 |
2.2 实验仪器设备 | 第29页 |
2.3 材料的表征 | 第29-30页 |
2.4 阻变存储器性能测试 | 第30-32页 |
3 PVAm·HI及2D或者准2D钙钛矿的制备和结构表征 | 第32-39页 |
3.1 聚乙烯胺碘酸盐的制备和结构表征 | 第32-37页 |
3.1.1 聚乙烯胺的制备 | 第32-34页 |
3.1.2 聚乙烯胺的结构表征 | 第34-36页 |
3.1.3 聚乙烯胺碘酸盐的制备 | 第36页 |
3.1.4 聚乙烯胺碘酸盐的XRD分析 | 第36-37页 |
3.2 二维或者准二维钙钛矿材料的制备和结构表征 | 第37-39页 |
3.2.1 甲基碘化铵(MAI)的制备 | 第37页 |
3.2.2 辛二胺碘酸盐的制备 | 第37-38页 |
3.2.3 二维或者准二维材料BA_2MA_(n-1)Pb_nI_(3n+1)(n=1,2,3,4,∞)的制备 | 第38-39页 |
4 ITO/PVAm·HI+CH_3NH_3PbI_3/Al阻变存储器件 | 第39-55页 |
4.1 ITO/PVAm·HI+CH_3NH_3PbI_3/Al阻变存储器件的制备 | 第39-40页 |
4.1.1 ITO导电玻璃的清洗 | 第39页 |
4.1.2 钙钛矿薄膜的制备 | 第39-40页 |
4.2 钙钛矿薄膜的表征及测试 | 第40-45页 |
4.2.1 器件的实物图 | 第40-41页 |
4.2.2 钙钛矿薄膜的厚度表征 | 第41-42页 |
4.2.3 钙钛矿薄膜的X射线衍射(XRD)分析 | 第42-44页 |
4.2.4 钙钛矿薄膜的表面形貌表征 | 第44-45页 |
4.3 ~1HNMR分析 | 第45-46页 |
4.4 阻变存储器的电性能测试 | 第46-51页 |
4.4.1 阻变存储器的电流-电压(I-V)曲线 | 第47-48页 |
4.4.2 阻变存储器的电流保持时间 | 第48-49页 |
4.4.3 阻变存储器的循环稳定性 | 第49-50页 |
4.4.4 阻变存储器的良率 | 第50-51页 |
4.5 钙钛矿薄膜及阻变存储器器件的稳定性测试 | 第51-53页 |
4.5.1 钙钛矿薄膜的X射线衍射(XRD)分析 | 第51-52页 |
4.5.2 阻变存储器器件的稳定性测试 | 第52-53页 |
4.6 ITO/PVAm·HI+CH_3NH_3PbI_3/Al阻变存储器器件的机理 | 第53页 |
4.7 本章小结 | 第53-55页 |
5 ITO/BA_2MA_(n-1)Pb_nI_(3n+1)/Al阻变存储器件 | 第55-62页 |
5.1 ITO/BA_2MA_(n-1)Pb_nI_(3n+1)/Al阻变存储器件的制备 | 第55-56页 |
5.1.1 ITO导电玻璃的清洗 | 第55页 |
5.1.2 钙钛矿薄膜的制备 | 第55-56页 |
5.1.3 金属电极的制备 | 第56页 |
5.2 钙钛矿薄膜的表征 | 第56-57页 |
5.2.1 钙钛矿薄膜的实物图 | 第56页 |
5.2.2 钙钛矿薄膜的厚度表征 | 第56-57页 |
5.3 阻变存储器的电性能测试 | 第57-60页 |
5.3.1 阻变存储器的电流-电压(I-V)曲线 | 第57-59页 |
5.3.2 阻变存储器的电流保持时间和循环稳定性 | 第59-60页 |
5.4 阻变存储器器件的稳定性测试 | 第60页 |
5.5 机理 | 第60-61页 |
5.6 本章小结 | 第61-62页 |
6 总结 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
个人经历及硕士期间发表的论文与科研成果 | 第72页 |