摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-21页 |
1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
1.2 薄芯光纤的性质及其主要应用 | 第12-15页 |
1.2.1 薄芯光纤的性质 | 第12-13页 |
1.2.2 薄芯光纤的主要应用 | 第13-15页 |
1.3 干涉型光纤传感器 | 第15-18页 |
1.3.1 Mach-Zehnder干涉仪传感研究现状 | 第15-16页 |
1.3.2 Fabry-Perot干涉仪传感研究现状 | 第16-17页 |
1.3.3 Michelson干涉仪传感研究现状 | 第17-18页 |
1.3.4 Sagnac干涉仪传感研究现状 | 第18页 |
1.4 类石墨烯片状二硫化钨的性能及其应用 | 第18-19页 |
1.4.1 研究背景 | 第18页 |
1.4.2 WS_2的基本物理性质 | 第18-19页 |
1.4.3 类石墨烯WS_2的应用 | 第19页 |
1.5 本文主要研究内容及章节安排 | 第19-21页 |
2 薄芯光纤马赫-曾德尔干涉仪的构造及其理论分析 | 第21-35页 |
2.1 实验材料及仪器 | 第21-23页 |
2.2 薄芯光纤与普通单模光纤熔接实验 | 第23-24页 |
2.3 不同长度薄芯光纤熔接对干涉仪系统性能的影响 | 第24-30页 |
2.4 薄芯光纤镀膜模长耦合理论分析 | 第30-33页 |
2.5 光学气敏实验平台的搭建 | 第33页 |
2.6 本章小结 | 第33-35页 |
3 一次烧结镀膜方法制作光纤气敏元件及其气敏测试分析 | 第35-47页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 实验方法 | 第35-37页 |
3.2.1 使用一次煅烧法制造敏感薄膜过程 | 第35页 |
3.2.2 气敏薄膜的表征及其形貌分析 | 第35-37页 |
3.3 片状二硫化钨纳米材料及其分析表征 | 第37-41页 |
3.3.1 片状二硫化钨纳米材料的成分分析 | 第37-40页 |
3.3.2 片状二硫化钨纳米材料的TEM测试表征 | 第40-41页 |
3.4 不同浓度H_2S的制备与收集 | 第41-42页 |
3.5 传感器对硫化氢敏感性能研究 | 第42-46页 |
3.5.1 镀膜后干涉波形形状及其抗噪性分析 | 第42页 |
3.5.2 传感器灵敏度测试 | 第42-45页 |
3.5.3 传感器响应-恢复时间测试 | 第45-46页 |
3.5.4 传感器选择性测试 | 第46页 |
3.6 本章小结 | 第46-47页 |
4 多次烧结烘干镀膜方法制作光纤气敏元件及其气敏测试分析 | 第47-57页 |
4.1 多次烧结烘干制备纳米气敏薄膜及其表征分析 | 第47-48页 |
4.1.1 实验过程 | 第47页 |
4.1.2 测试表征分析 | 第47-48页 |
4.2 传感器对硫化氢敏感性能研究 | 第48-52页 |
4.2.1 镀膜后干涉波形形状及其抗噪性分析 | 第48-49页 |
4.2.2 传感器灵敏度测试 | 第49-51页 |
4.2.3 传感器响应-恢复时间测试 | 第51-52页 |
4.2.4 传感器选择性测试 | 第52页 |
4.3 单层硫化钨纳米薄膜对气体吸附能的第一性原理研究 | 第52-55页 |
4.3.1 第一性原理介绍及密度泛函理论的研究应用 | 第52-53页 |
4.3.2 硫化钨超胞结构模型设计 | 第53-54页 |
4.3.3 硫化钨对不同气体的吸附能计算 | 第54-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-57页 |
5 针对硫化钨纳米薄膜沉积Cu的增敏实验 | 第57-63页 |
5.1 敏感膜沉积Cu实验 | 第57页 |
5.2 沉积硫化钨敏感薄膜表征测试分析 | 第57-58页 |
5.3 沉积Cu粒子增敏传感器气体测试 | 第58-62页 |
5.3.1 镀膜后干涉波形形状及其抗噪性分析 | 第58-59页 |
5.3.2 传感器灵敏度测试 | 第59-61页 |
5.3.3 传感器响应-恢复时间测试 | 第61-62页 |
5.4 对Cu沉积增敏原理的研究 | 第62页 |
5.5 本章小结 | 第62-63页 |
6 总结与展望 | 第63-65页 |
6.1 结论 | 第63页 |
6.2 展望 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-73页 |
致谢 | 第73-75页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 | 第75-76页 |