逻辑器件侧墙蚀刻工艺研究
| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·蚀刻与侧墙蚀刻工艺 | 第7-8页 |
| ·论文的意义与结构 | 第8-10页 |
| 第二章 侧墙蚀刻工艺与蚀刻机台 | 第10-22页 |
| ·0.13微米侧墙蚀刻工艺的介绍 | 第10-18页 |
| ·0.13微米工艺的简介 | 第10-12页 |
| ·侧墙蚀刻与蚀刻要求 | 第12-15页 |
| ·侧墙蚀刻中的二氧化硅蚀刻 | 第15-16页 |
| ·侧墙蚀刻中的氮化硅蚀刻 | 第16-18页 |
| ·侧墙蚀刻机台介绍 | 第18-21页 |
| ·蚀刻设备的发展 | 第18页 |
| ·Spuer E机台的介绍 | 第18-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第三章 侧墙蚀刻造成的缺陷的研究 | 第22-42页 |
| ·侧墙缺陷的介绍 | 第22-24页 |
| ·蚀刻设备与侧墙缺陷关系的研究 | 第24-31页 |
| ·密封圈对侧墙缺陷的影响 | 第24-26页 |
| ·气体流量分配盘对侧墙缺陷的影响 | 第26-28页 |
| ·反应腔体对侧墙缺陷的影响 | 第28-29页 |
| ·真空系统对侧墙缺陷的影响 | 第29-31页 |
| ·正交实验分析工艺参数对侧墙缺陷的影响 | 第31-37页 |
| ·TEOS ME对改善侧墙缺陷的实验与分析 | 第32-33页 |
| ·TEOS OE对改善侧墙缺陷的实验与分析 | 第33-34页 |
| ·SIN ME对改善侧墙缺陷的实验与分析 | 第34-36页 |
| ·SIN OE对改善侧墙缺陷的实验与分析 | 第36-37页 |
| ·改进工艺步骤,提高设备性能 | 第37-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 控制侧墙蚀刻后残余二氧化硅厚度的研究 | 第42-54页 |
| ·残余二氧化硅的作用与其控制 | 第42-43页 |
| ·调整蚀刻工艺参数,以控制残余二氧化硅的厚度 | 第43-48页 |
| ·SIN ME对残余二氧化硅厚度的影响 | 第44-46页 |
| ·SIN OE对残余二氧化硅厚度的影响 | 第46-48页 |
| ·调整O2导致WAT电性变化 | 第48页 |
| ·吸附电压、温度和磁场与残余二氧化硅厚度的关系 | 第48-51页 |
| ·吸附电压效应 | 第48-49页 |
| ·温度效应 | 第49-50页 |
| ·磁场效应 | 第50-51页 |
| ·残余二氧化硅厚度改善的结果 | 第51-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
