| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 碳化硅材料及器件的特性及优势 | 第7-9页 |
| 1.2 SiC 器件高温可靠性研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 4H-SiC 肖特基二极管高温特性研究 | 第13-21页 |
| 2.1 4H-SiC 肖特基二极管高温 I-V 特性仿真分析 | 第13-16页 |
| 2.1.1 仿真中的求解方程及物理模型分析 | 第13-15页 |
| 2.1.2 4H-SiC 肖特基二极管高温特性仿真分析 | 第15-16页 |
| 2.2 4H-SiC 肖特基二极管高温特性的测试分析及对比 | 第16-18页 |
| 2.3 本章小结 | 第18-21页 |
| 第三章 自热效应下 4H-SiC 肖特基二极管仿真模型研究 | 第21-27页 |
| 3.1 热力学模型及热电功率模型 | 第21-23页 |
| 3.1.1 热力学模型（thermodynamic model） | 第21-22页 |
| 3.1.2 热电功率模型（analytic thermoelectric power） | 第22-23页 |
| 3.2 热导率模型 | 第23-24页 |
| 3.3 结温和热阻的定义 | 第24-25页 |
| 3.3.1 结温和热阻的相关概念 | 第24-25页 |
| 3.3.2 仿真中的热阻模型 | 第25页 |
| 3.4 仿真模型的验证 | 第25-26页 |
| 3.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 自热效应下 SiC SBD 的仿真和实际测试结果分析 | 第27-35页 |
| 4.1 不同正向偏压下器件特性分析 | 第27-30页 |
| 4.2 SiC SBD 正向偏置下产热及温升分析 | 第30-32页 |
| 4.3 肖特基二极管自热效应实验分析 | 第32-34页 |
| 4.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 SiC SBD 热阻和结温的研究 | 第35-43页 |
| 5.1 环境温度对峰值电流及对应结温的影响 | 第35-38页 |
| 5.2 不同热阻对器件电流峰值结温的影响 | 第38-41页 |
| 5.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第六章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
