| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 有机发光二极管(OLED)的发展历史和现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 OLED的发展历史 | 第11-13页 |
| 1.2.2 OLED的产业化现状 | 第13-14页 |
| 1.3 OLED的主要应用 | 第14-16页 |
| 1.3.1 照明领域 | 第14-15页 |
| 1.3.2 显示领域 | 第15-16页 |
| 1.4 OLED发光的基本原理 | 第16-20页 |
| 1.4.1 载流子的注入与传输 | 第17-19页 |
| 1.4.2 激子的形成及辐射 | 第19-20页 |
| 1.5 影响OLED器件效率的参数 | 第20-22页 |
| 1.6 本课题研究的内容及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 OLED的制备和表征 | 第24-34页 |
| 2.1 OLED的结构 | 第24-28页 |
| 2.1.1 器件材料 | 第24-26页 |
| 2.1.2 器件制备方法 | 第26-28页 |
| 2.2 OLED的表征 | 第28-31页 |
| 2.2.1 光学性能 | 第28-31页 |
| 2.2.2 电学性能 | 第31页 |
| 2.3 提高OLED中电荷平衡的方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 增进电子注入效率 | 第32页 |
| 2.3.2 良好的电子传输材料 | 第32页 |
| 2.3.3 组件结构的改善 | 第32-34页 |
| 第三章 基于可控掺杂的p-i-n OLED的电荷平衡研究 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 p-i-n OLED基本简介 | 第35-37页 |
| 3.2.1 工作原理 | 第35-36页 |
| 3.2.2 器件结构 | 第36-37页 |
| 3.3 可控掺杂影响p-i-n OLED中电荷平衡的实验结果和讨论 | 第37-48页 |
| 3.3.1 可控掺杂对荧光p-i-n器件中电荷平衡的影响 | 第37-42页 |
| 3.3.2 可控掺杂对磷光p-i-n器件中电荷平衡的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 电荷平衡的论证分析 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 倒置OLED的电荷平衡研究 | 第49-72页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 倒置OLED基本简介 | 第50-52页 |
| 4.2.1 工作原理 | 第50-51页 |
| 4.2.2 器件结构 | 第51-52页 |
| 4.3 Al_2O_3修饰阴极的倒置OLED研究 | 第52-62页 |
| 4.3.1 器件的制备和测试 | 第52页 |
| 4.3.2 器件结构和能级图 | 第52-54页 |
| 4.3.3 基于Al_2O_3作为EIL的倒置荧光器件结果分析 | 第54-56页 |
| 4.3.4 不同厚度和退火温度的Al_2O_3倒置器件实验结果分析 | 第56-59页 |
| 4.3.5 单电子传输层器件的结果分析 | 第59页 |
| 4.3.6 Voc和XPS结果分析 | 第59-61页 |
| 4.3.7 基于Al_2O_3的倒置磷光器件结果分析 | 第61-62页 |
| 4.3.8 本节小结 | 第62页 |
| 4.4 Al修饰阴极的倒置OLED研究 | 第62-71页 |
| 4.4.1 基于Al修饰的倒置OLED荧光器件结果分析 | 第62-67页 |
| 4.4.2 基于Al修饰的倒置OLED磷光器件结果分析 | 第67-70页 |
| 4.4.3 本节小结 | 第70-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 全文总结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-83页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
