| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外碳化硅陶瓷研磨加工技术的发展现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 碳化硅陶瓷光学加工零件超精密研磨加工技术 | 第11-13页 |
| 1.2.2 目前研磨加工技术采用的运动方式 | 第13-14页 |
| 1.2.3 数控研磨加工技术的发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.2.4 开放式数控系统的发展方向 | 第15-16页 |
| 1.3 论文研究的意义及主要内容 | 第16-17页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第17页 |
| 1.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第2章 圆平动控制的研磨方式特点分析 | 第18-28页 |
| 2.1 圆平动控制平面研磨加工理论 | 第18-19页 |
| 2.2 圆平动运动特点及磨损分析 | 第19-27页 |
| 2.2.1 圆平动控制的研磨运动规律 | 第19-21页 |
| 2.2.2 分析研磨试件上任意点的圆平动运动轨迹 | 第21-22页 |
| 2.2.3 研磨试件任意一点的速度分析 | 第22-23页 |
| 2.2.4 研磨试件和研磨盘的磨损分析计算 | 第23-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 基于圆平动控制的 SiC 陶瓷数控研磨实验系统 | 第28-41页 |
| 3.1 实验设备的机械结构及原理 | 第28-30页 |
| 3.1.1 实验设备的机械结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 数控研磨实验设备工作台运动原理 | 第29-30页 |
| 3.2 数控圆平动式研磨实验设备伺服系统 | 第30-36页 |
| 3.2.1 数控系统类型的选择 | 第30-31页 |
| 3.2.2 运动控制器类型的选择 | 第31页 |
| 3.2.3 运动控制卡的选择 | 第31页 |
| 3.2.4 数控研磨实验设备伺服系统硬件构成与连接 | 第31-33页 |
| 3.2.5 伺服系统的软件设计 | 第33-36页 |
| 3.3 数控研磨实验设备的数据系统 | 第36-40页 |
| 3.3.1 数据采集处理系统 | 第36-39页 |
| 3.3.2 数控研磨实验设备的加电方式 | 第39页 |
| 3.3.3 数控研磨实验前准备 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 碳化硅陶瓷的电化学研磨加工实验 | 第41-53页 |
| 4.1 碳化硅陶瓷材料试件 | 第41页 |
| 4.2 碳化硅陶瓷数控研磨加工实验 | 第41-45页 |
| 4.2.1 研磨加工实验的静态检测 | 第41-42页 |
| 4.2.2 干摩擦研磨加工的重复性实验 | 第42页 |
| 4.2.3 干摩擦与湿摩擦研磨的对比实验 | 第42-43页 |
| 4.2.4 不同工况下的湿摩擦研磨实验 | 第43-45页 |
| 4.3 SiC/HT200 的数控研磨电化学实验 | 第45-49页 |
| 4.3.1 （水溶液下）SiC/HT200 的数控研磨电化学实验 | 第45-46页 |
| 4.3.2 （水溶液加入 Fe2O3粉末条件下）SiC/HT200 的数控研磨电化学实验 | 第46-48页 |
| 4.3.3 （水溶液加入 H2O2条件下）SiC/HT200 的数控研磨电化学实验 | 第48-49页 |
| 4.4 实验结果的分析与探讨 | 第49-52页 |
| 4.4.1 数控圆平动控制电化学反应性质 | 第49-50页 |
| 4.4.2 电化学研磨机理分析 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 作者简介及科研成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
