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形变与缺陷石墨烯电子性质的第一原理研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第11-28页
    1.1 石墨烯概述第11-16页
        1.1.1 石墨烯的发现第11页
        1.1.2 石墨烯的结构第11-13页
        1.1.3 石墨烯的性能第13-14页
        1.1.4 石墨烯纳米带及其分类第14-16页
    1.2 石墨烯形变类型第16-18页
        1.2.1 拉伸形变第16-17页
        1.2.2 折叠形变第17页
        1.2.3 卷曲形变第17页
        1.2.4 扭曲形变第17-18页
    1.3 石墨烯缺陷分类第18-22页
        1.3.1 石头-墙(SW)缺陷第19页
        1.3.2 单空位(SV)第19-20页
        1.3.3 复合空位(DV)第20-21页
        1.3.4 一维缺陷第21页
        1.3.5 边缘缺陷第21-22页
        1.3.6 周期性穿孔缺陷第22页
    1.4 研究现状第22-26页
        1.4.1 形变效应第22-25页
        1.4.2 缺陷效应第25-26页
    1.5 研究内容和目的第26-28页
2 理论基础与计算方案第28-51页
    2.1 Born-Oppenheimer近似第28-29页
    2.2 Hartree-Fock近似第29-30页
    2.3 密度泛函理论第30-38页
        2.3.1 Thomas-Fermi模型第30-31页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn方程第31-32页
        2.3.3 基函数的选取第32-34页
        2.3.4 交换关联势第34-35页
        2.3.5 赝势方法第35-37页
        2.3.6 自洽求解的过程第37-38页
    2.4 非平衡格林函数方法第38-43页
        2.4.1 格林函数的定义及构造第38-40页
        2.4.2 器件区的格林函数第40-42页
        2.4.3 电极自能第42页
        2.4.4 Lesser(小于)格林函数第42-43页
    2.5 纳米结构的输运计算方案第43-48页
    2.6 常用计算软件第48-51页
3 卷曲形变对石墨烯纳米带电子结构的影响第51-64页
    3.1 引言第51页
    3.2 计算模型与研究方法第51-53页
    3.3 计算结果与讨论第53-63页
        3.3.1 能带结构第53-58页
        3.3.2 态密度第58-60页
        3.3.3 透射谱第60-63页
    3.4 本章小结第63-64页
4 扭曲的石墨烯纳米带的电子输运特性规律第64-71页
    4.1 引言第64页
    4.2 计算模型与研究方法第64-65页
    4.3 计算结果与讨论第65-70页
        4.3.1 电子输运规律第65-67页
        4.3.2 物理机制第67-70页
    4.4 本章小结第70-71页
5 线缺陷石墨烯纳米带自旋过滤效应改善的研究第71-79页
    5.1 引言第71页
    5.2 计算模型与研究方法第71-73页
    5.3 计算结果与讨论第73-78页
        5.3.1 模拟STM图像第73页
        5.3.2 自旋极化与磁性第73-74页
        5.3.4 自旋输运第74-75页
        5.3.5 自旋过滤第75-76页
        5.3.6 物理机制与实验可能性第76-78页
    5.4 本章小结第78-79页
6 周期性穿孔缺陷石墨烯带隙的变化规律与机理研究第79-97页
    6.1 引言第79-80页
    6.2 计算模型与研究方法第80-84页
    6.3 计算结果与讨论第84-95页
        6.3.1 圆形孔的石墨烯纳米网第84-87页
        6.3.2 三角形孔的石墨烯纳米网第87-88页
        6.3.3 矩形孔的石墨烯纳米网第88-89页
        6.3.4 三种类型石墨烯纳米网的比较第89-91页
        6.3.5 带隙机理的讨论第91-94页
        6.3.6 带隙的数值拟合第94-95页
    6.4 本章小结第95-97页
7 结论与展望第97-100页
参考文献第100-112页
附录第112-118页
攻读学位期间主要的研究成果第118-119页
致谢第119页

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