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基于P沟道存储单元的高可靠性闪存设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 课题应用背景第9-11页
        1.1.1 从ROM到EPROM第9-10页
        1.1.2 从EPROM到EEPROM第10-11页
    1.2 课题研究现状第11-13页
    1.3 课题研究内容与研究意义第13-14页
        1.3.1 课题研究内容第13页
        1.3.2 课题研究意义第13-14页
    1.4 本论文的组织架构第14-15页
第二章 存储器结构及编程原理第15-22页
    2.1 存储器结构第15-16页
        2.1.1 存储器系统结构第15-16页
    2.2 存储原理第16-17页
    2.3 编程机制第17-21页
        2.3.1 带带隧穿(Band-to-Band Tunneling)第18-19页
        2.3.2 Fowler-Nordheim(FN)隧穿第19-21页
    2.4 本章小结第21-22页
第三章 存储单元的设计第22-27页
    3.1 P沟道和N沟道存储单元第22-24页
    3.2、存储单元电路第24-26页
        3.2.1 存储单元电路结构第24-25页
        3.2.2 存储单元的操作模式第25-26页
    3.3 本章小结第26-27页
第四章 存储器外围关键电路设计第27-49页
    4.1 灵敏放大器第27-36页
        4.1.1 灵敏放大器的作用第27-28页
        4.1.2 传统型灵敏放大器电路第28-31页
        4.1.3 新型灵敏放大器电路设计第31-33页
        4.1.4 电路仿真结果分析第33-35页
        4.1.5 本节小结第35-36页
    4.2 升压电路的设计第36-42页
        4.2.1 传统电荷泵电路第36-38页
        4.2.2 新型低压四相位高效率电荷泵电路第38-40页
        4.2.3 电路仿真结果分析第40-41页
        4.2.4 本节小结第41-42页
    4.3 闪存字线驱动电路设计第42-45页
        4.3.1 新型字线驱动电路设计第42-43页
        4.3.2 电路仿真结果分析第43-44页
        4.3.3 本节小结第44-45页
    4.4 电平转换电路设计第45-49页
        4.4.1 传统电平转换电路分析第45-46页
        4.4.2 新型电平转换电路设计第46-47页
        4.4.3 电路仿真结果分析第47-48页
        4.4.4 本节小结第48-49页
第五章 存储器整体仿真和版图设计第49-57页
    5.1 版图设计第49-52页
        5.1.1 版图的布局与布线第49-50页
        5.1.2 Flash存储器版图设计第50-52页
    5.2 整体芯片的仿真验证第52-56页
        5.2.1 Flash存储器仿真验证第52-56页
    5.3 本章小结第56-57页
第六章 总结与展望第57-59页
    6.1 论文总结第57页
    6.2 工作展望第57-59页
参考文献第59-62页
攻读硕士期间发表的论文第62-63页
致谢第63-64页

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