| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文主要内容和结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 透明电阻型存储器件的特性 | 第15-25页 |
| 2.1 透明电阻型存储器件的基本结构 | 第15-16页 |
| 2.2 透明电阻型存储器件的阻变特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 透明电阻型存储器件的电流电压特性 | 第16-18页 |
| 2.2.2 透明电阻型存储器件的阻态转换机制 | 第18-19页 |
| 2.3 透明电阻型存储器件的模型 | 第19-22页 |
| 2.3.1 透明电阻型存储器件的理论基础 | 第19-20页 |
| 2.3.2 透明电阻型存储器件的边界迁移模型 | 第20-22页 |
| 2.4 透明电阻型存储器件的材料体系 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 基于ITO/WO_X/ITO结构的透明电阻型存储器件的研究 | 第25-40页 |
| 3.1 器件的结构与制备 | 第25-27页 |
| 3.2 器件的阻变特性研究 | 第27-30页 |
| 3.2.1 器件的电流电压特性 | 第27-28页 |
| 3.2.2 器件的阻态转换特性 | 第28-30页 |
| 3.3 器件的存储可靠性研究 | 第30-33页 |
| 3.4 器件的多值存储特性研究 | 第33-39页 |
| 3.4.1 器件的多值存储性能 | 第33-36页 |
| 3.4.2 器件多值存储的可靠性 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于Ag/IGZO/ITO结构的透明电阻型存储器件的研究 | 第40-48页 |
| 4.1 器件的结构与制备 | 第40-41页 |
| 4.2 器件的阻变特性研究 | 第41-44页 |
| 4.2.1 器件的电流电压特性 | 第42-43页 |
| 4.2.2 器件的阻态转换特性 | 第43-44页 |
| 4.3 器件的存储可靠性研究 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 基于透明电阻型存储器件的ADC技术研究 | 第48-59页 |
| 5.1 模数转换器概述 | 第48-52页 |
| 5.1.1 并行ADC | 第49-50页 |
| 5.1.2 串行ADC | 第50-52页 |
| 5.2 基于透明电阻型存储器件的比较器 | 第52-53页 |
| 5.3 基于透明电阻型存储器件的并行ADC | 第53-55页 |
| 5.4 基于透明电阻型存储器件的串行ADC | 第55-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66-67页 |