| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 研究目的与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究目标与研究内容 | 第13-16页 |
| 第二章 Alpha粒子的探测原理 | 第16-32页 |
| 2.1 Alpha粒子基础理论与alpha辐射探测器介绍 | 第16-22页 |
| 2.1.1 Alpha粒子与物质的相互作用 | 第16-18页 |
| 2.1.2 常规alpha辐射探测器的简介 | 第18-19页 |
| 2.1.3 硅像素探测器的介绍 | 第19-22页 |
| 2.2 SOI硅像素探测器的详细介绍 | 第22-27页 |
| 2.2.1 SOI硅像素探测器的详细介绍及其信号的产生与收集 | 第23-26页 |
| 2.2.2 SOI硅像素探测器工作系统简介 | 第26-27页 |
| 2.3 SOI硅像素探测器入射窗对探测的影响 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 SOI硅像素探测器硬、软件的实现 | 第32-46页 |
| 3.1 SOI硅像素探测器的硬件设计与概述 | 第32-36页 |
| 3.1.1 SOI探测器背入射改进方案介绍 | 第32-33页 |
| 3.1.2 子板的设计与COB组装工艺研究 | 第33-36页 |
| 3.2 SOI硅像素探测器数据获取系统的实现 | 第36-44页 |
| 3.2.1 母板的FPGA时序控制 | 第37-38页 |
| 3.2.2 数据获取软件的任务与框架 | 第38-41页 |
| 3.2.3 PC端数据获取软件的实现 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 SOI硅像素探测器关键工作参数的确定 | 第46-54页 |
| 4.1 探测器系统运行时的几个重要参数的设置 | 第46-47页 |
| 4.2 去除SOI芯片中坏像素点与探测器甄别阈值的确定 | 第47-50页 |
| 4.3 γ 放射源对探测器系统的标定 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 SOI像素探测器对~（241）Am源的响应与测试结果分析 | 第54-62页 |
| 5.1 玻璃法制标准~（241）Am Alpha源的测试与结果分析 | 第54-57页 |
| 5.2 电镀法制标准~(241)Am Alpha源的测试与结果分析 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 论文总结 | 第62页 |
| 6.2 SOI像素探测器对alpha辐射体测量的应用前景 | 第62-63页 |
| 6.3 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 附图 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
