| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 前言 | 第10-18页 |
| 1.1 分子电子学简介 | 第10-11页 |
| 1.2 分子整流器件的研究进展 | 第11-16页 |
| 1.2.1 分子整流器件的类型 | 第11-14页 |
| 1.2.2 基于石墨烯的分子整流器的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3 本文拟研究的理论模型 | 第16-18页 |
| 第二章 单分子器件电输运的理论计算方法 | 第18-30页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第18-19页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第19-23页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
| 2.3 量子输运计算中的非平衡格林函数方法 | 第23-27页 |
| 2.3.1 量子输运 | 第23-24页 |
| 2.3.2 基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法 | 第24-27页 |
| 2.4 基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法的自洽迭代过程 | 第27-30页 |
| 第三章 三角形石墨烯纳米片段电导及整流性能的研究 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 论模型与计算方法 | 第31-33页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第33-40页 |
| 3.3.1 右侧aGNR电极带宽对器件整流性能的调控及影响 | 第33-37页 |
| 3.3.2 末端耦合碳链条数对分子器件整流性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-42页 |
| 第四章 单分子芳香性对其分子结导电性能的影响 | 第42-50页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第43-44页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第44-49页 |
| 4.3.1 金字塔接触构型下分子结电导与芳香性间的关系 | 第44-47页 |
| 4.3.2 单金原子接触构型下分子结电导与芳香性间的关系 | 第47-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 本文工作的主要内容 | 第50页 |
| 5.2 本文工作的主要结论 | 第50-51页 |
| 5.3 本文工作的创新之处 | 第51页 |
| 5.4 工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
