摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 课题背景和意义 | 第10-11页 |
1.2 酞菁类物质的发现及应用 | 第11-14页 |
1.2.1 酞菁类物质的发现 | 第11-12页 |
1.2.2 酞菁类物质的应用概况 | 第12-14页 |
1.3 有机薄膜晶体管的发展概况 | 第14-16页 |
1.4 有机薄膜晶体管的结构 | 第16页 |
1.5 纵向沟道晶体管 | 第16-18页 |
1.6 存在的问题 | 第18-19页 |
1.7 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
第2章 有机半导体薄膜的制备及厚度测量 | 第20-25页 |
2.1 有机半导体薄膜对器件性能的影响 | 第20-21页 |
2.2 有机薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
2.3 有机薄膜厚度的测量 | 第22-24页 |
2.4 本章小结 | 第24-25页 |
第3章 有机薄膜晶体管的制备 | 第25-33页 |
3.1 器件结构 | 第25-26页 |
3.2 材料的选取 | 第26-27页 |
3.3 玻璃基片的准备 | 第27页 |
3.4 金属层的制备 | 第27-29页 |
3.5 有机传输层的制备 | 第29-31页 |
3.6 多元镀膜装置及原理 | 第31-32页 |
3.7 本章小结 | 第32-33页 |
第4章 OTFT的特性测试及实验结果分析 | 第33-54页 |
4.1 有源层及其厚度对器件性能的影响 | 第33-37页 |
4.2 有机薄膜晶体管的工作机理 | 第37-38页 |
4.3 栅电极与半导体层界面电学特性分析 | 第38-42页 |
4.3.1 电流-电压特性 | 第38-40页 |
4.3.2 电容-电压特性 | 第40-42页 |
4.4 晶体管的电学特性测试及分析 | 第42-51页 |
4.4.1 静态输出特性 | 第42-45页 |
4.4.2 阈值电压 | 第45页 |
4.4.3 载流子迁移率 | 第45-46页 |
4.4.4 转移特性 | 第46-49页 |
4.4.5 工作状态下I_(DS)与I_(GS)的关系 | 第49-50页 |
4.4.6 输入特性 | 第50-51页 |
4.5 载流子的传输 | 第51-52页 |
4.6 本章小结 | 第52-54页 |
结论 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
致谢 | 第60页 |