中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
第1章 绪论 | 第8-21页 |
1.1 ZnO纳米棒的研究 | 第9-11页 |
1.1.1 ZnO纳米棒的制备 | 第9-10页 |
1.1.2 ZnO纳米棒的气敏性能 | 第10-11页 |
1.2 ZnO纳米棒复合材料的研究 | 第11-12页 |
1.2.1 ZnO纳米棒复合材料的制备 | 第12页 |
1.2.2 ZnO纳米棒复合材料的气敏性能 | 第12页 |
1.3 ZnO纳米棒阵列及其复合材料的研究 | 第12-20页 |
1.3.1 ZnO纳米棒阵列的研究 | 第12-17页 |
1.3.2 ZnO纳米棒阵列复合材料的研究 | 第17-20页 |
1.4 选题依据 | 第20-21页 |
第2章 实验部分 | 第21-27页 |
2.1 主要试剂和仪器 | 第21-22页 |
2.1.1 实验主要试剂 | 第21页 |
2.1.2 主要制备和测试仪器 | 第21-22页 |
2.2 材料的制备 | 第22-24页 |
2.2.1 ZnO纳米棒阵列的制备 | 第22-23页 |
2.2.2 氧化物复合的ZnO纳米棒阵列的制备 | 第23-24页 |
2.3 材料的表征 | 第24-25页 |
2.3.1 XRD物相分析 | 第24页 |
2.3.2 电镜分析 | 第24页 |
2.3.3 X-射线光电子能谱分析 | 第24-25页 |
2.4 气敏器件的气敏性能测试 | 第25-27页 |
2.4.1 薄膜型气敏器件的制备及气敏性能测试 | 第25页 |
2.4.2 气敏特性参数 | 第25-27页 |
第3章 ZnO纳米棒阵列的制备与气敏性能研究 | 第27-41页 |
3.1 ZnO纳米棒阵列的制备研究 | 第27-34页 |
3.1.1 甲酸锌浓度对ZnO纳米棒阵列的影响 | 第27-29页 |
3.1.2 甘氨酸浓度对ZnO纳米棒阵列的影响 | 第29-30页 |
3.1.3 反应温度对ZnO纳米棒阵列的影响 | 第30-32页 |
3.1.4 反应时间对ZnO纳米棒阵列的影响 | 第32-34页 |
3.2 ZnO纳米棒阵列的表征及气敏性能 | 第34-39页 |
3.2.1 ZnO纳米棒阵列的物相分析 | 第34-35页 |
3.2.2 ZnO纳米棒阵列的形貌分析 | 第35-36页 |
3.2.3 ZnO纳米棒阵列的X-射线光电子能谱分析 | 第36-37页 |
3.2.4 ZnO纳米棒阵列的气敏性能 | 第37-39页 |
3.3 本章小结 | 第39-41页 |
第4章 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的制备与气敏性能研究 | 第41-56页 |
4.1 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的制备 | 第41-45页 |
4.1.1 溶液pH值的影响 | 第41-43页 |
4.1.2 SnC l2溶液浓度的影响 | 第43-44页 |
4.1.3 反应时间的影响 | 第44-45页 |
4.2 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的表征及气敏性能 | 第45-54页 |
4.2.1 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的物相分析 | 第45-46页 |
4.2.2 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的形貌和结构分析 | 第46-48页 |
4.2.3 SnO_2-ZnO棒阵列的能谱及X-射线光电子能谱分析 | 第48页 |
4.2.4 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的气敏性能 | 第48-53页 |
4.2.5 SnO_2-ZnO纳米棒阵列的气敏机理探讨 | 第53-54页 |
4.3 本章小结 | 第54-56页 |
第5章 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的制备与气敏性能研究 | 第56-69页 |
5.1 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的制备 | 第56-61页 |
5.1.1 钛酸四丁酯溶液浓度的影响 | 第56-57页 |
5.1.2 反应温度的影响 | 第57-58页 |
5.1.3 反应时间的影响 | 第58-61页 |
5.2 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的表征及气敏性能 | 第61-68页 |
5.2.1 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的物相分析 | 第61-62页 |
5.2.2 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的形貌分析 | 第62-63页 |
5.2.3 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的能谱及X-射线光电子能谱分析 | 第63-64页 |
5.2.4 TiO_2-ZnO纳米棒阵列的气敏性能 | 第64-68页 |
5.3 本章小结 | 第68-69页 |
结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第81页 |