致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第14-40页 |
1.1 二维纳米材料的崛起 | 第14-15页 |
1.2 溶液半导体二维纳米晶的发展简介 | 第15-22页 |
1.2.1 溶液半导体纳米晶简介 | 第15-16页 |
1.2.2 量子限域效应和不同维度纳米晶的发展 | 第16-20页 |
1.2.3 各向异性生长的几种诱因 | 第20-22页 |
1.3 溶液半导体二维纳米晶的合成现状 | 第22-38页 |
1.3.1 纤锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的合成现状 | 第22-24页 |
1.3.2 纤锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的生长机理 | 第24-26页 |
1.3.3 闪锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的合成现状 | 第26-31页 |
1.3.4 闪锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的的生长机理 | 第31-36页 |
1.3.5 其他溶液半导体二维纳米晶的现存机理 | 第36-38页 |
1.4 溶液半导体二维纳米晶的机理研究的困境 | 第38页 |
1.5 本论文的立意 | 第38-40页 |
第二章 实验方法 | 第40-47页 |
2.1 实验药品和仪器 | 第40页 |
2.2 实验装置示意图 | 第40-41页 |
2.3 样品制备 | 第41-46页 |
2.3.1 反应前驱体的制备 | 第41-42页 |
2.3.2 闪锌矿CdSe二维纳米晶的常见合成法 | 第42页 |
2.3.3 闪锌矿CdSe二维纳米晶的其他合成方法:优化后的反应系统,用于动力学研究 | 第42-44页 |
2.3.4 “晶种间接注入法”生成5.5层闪锌矿CdSe二维纳米晶 | 第44-46页 |
2.4 样品表征 | 第46-47页 |
2.4.1 紫外-可见吸收光谱和发射光谱 | 第46页 |
2.4.2 红外吸收光谱 | 第46页 |
2.4.3 透射电子显微镜 | 第46页 |
2.4.4 高分辨透射电子显微镜及球差校正场发射扫描透射电子显微镜 | 第46页 |
2.4.5 X射线粉末衍射测试 | 第46-47页 |
第三章 闪锌矿CdSe二维纳米晶的合成研究 | 第47-63页 |
3.1 引言 | 第47页 |
3.2 CdSe二维纳米晶的常见合成方法 | 第47-49页 |
3.2.1 常见合成方法讨论 | 第47-48页 |
3.2.2 常见合成方法的共性 | 第48-49页 |
3.3 “晶种”的生成过程 | 第49-58页 |
3.3.1 硒前体种类以及引入方式的影响 | 第49-54页 |
3.3.2 镉盐前体链长的影响 | 第54-56页 |
3.3.3 沉淀与上清液中的“晶种” | 第56-57页 |
3.3.4 不同厚度的二维纳米晶的“晶种”生成过程总结 | 第57-58页 |
3.4 二维纳米晶的生长过程 | 第58-62页 |
3.4.1 二维纳米晶生长过程界定 | 第58页 |
3.4.2 薄层(3.5层)闪锌矿CdSe二维纳米晶的生长 | 第58-60页 |
3.4.3 厚层(4.5层和5.5层)闪锌矿CdSe二维纳米晶的生长 | 第60-62页 |
3.5 本章小结 | 第62-63页 |
第四章 不同厚度的二维纳米晶的生成动力学分析 | 第63-80页 |
4.1 引言 | 第63页 |
4.2 厚度为5.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学 | 第63-67页 |
4.2.1 反应系统的优化 | 第63-64页 |
4.2.2 厚度为5.5层二维纳米晶的生成反应动力学 | 第64-66页 |
4.2.3 厚度为5.5层二维纳米晶尺寸与形貌演化 | 第66-67页 |
4.3 厚度为4.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学 | 第67-70页 |
4.3.1 反应系统的优化 | 第67页 |
4.3.2 反应动力学 | 第67-70页 |
4.3.3 厚度为4.5层二维纳米晶尺寸与形貌的变化 | 第70页 |
4.4 厚度为3.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学 | 第70-72页 |
4.4.1 反应系统的优化 | 第70-72页 |
4.4.2 反应动力学和形貌、尺寸演化 | 第72页 |
4.5 闪锌矿CdSe二维纳米晶的现存机理:分析及存疑 | 第72-79页 |
4.5.1 “单体吸附外延生长”机理 | 第73-74页 |
4.5.2 “相分离沉淀”机理 | 第74-79页 |
4.5.3 “软模板”机理 | 第79页 |
4.6 本章小结 | 第79-80页 |
第五章 闪锌矿结构二维纳米晶的机理探究 | 第80-108页 |
5.1 引言 | 第80-81页 |
5.2 实验体系的设计 | 第81-85页 |
5.2.1 “晶种间接引入法”的选择 | 第81-82页 |
5.2.2 “晶种间接引入法”的预处理:“晶种”尺寸的选择及“晶种”纯化的必要性 | 第82-83页 |
5.2.3 “晶种间接引入法”的实验流程与产物表征 | 第83-85页 |
5.3 诱导剂和配体对对称性破缺的作用 | 第85-91页 |
5.3.1 长链镉盐和短链镉盐独立存在的反应 | 第85-87页 |
5.3.2 长链镉盐浓度固定条件下短链镉盐前体的作用 | 第87-88页 |
5.3.3 短链镉盐浓度固定条件下长链镉盐前体的作用 | 第88-90页 |
5.3.4 其他配体的作用 | 第90-91页 |
5.4 零维到二维转化动力学 | 第91-100页 |
5.4.1 零维到二维动力学监测 | 第91-94页 |
5.4.2 动力学过程分析 | 第94-98页 |
5.4.3 二维纳米晶转化速率的温度相关性 | 第98-100页 |
5.5 二次对称性破缺的机理 | 第100-107页 |
5.5.1 二维晶胚 | 第100-102页 |
5.5.2 单颗粒中间体 | 第102-103页 |
5.5.3 第一次对称性破缺:厚度方向与长宽方向的对称性破缺 | 第103-105页 |
5.5.4 第二次对称性破缺:长度方向与宽度方向的对称性破缺 | 第105-106页 |
5.5.5 从“晶种”到二维纳米晶转化机理 | 第106-107页 |
5.6 本章小结 | 第107-108页 |
第六章 总结与展望 | 第108-111页 |
参考文献 | 第111-117页 |
作者简历及博士期间科研成果 | 第117页 |