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闪锌矿CdSe半导体二维纳米晶的生长机理研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第一章 绪论第14-40页
    1.1 二维纳米材料的崛起第14-15页
    1.2 溶液半导体二维纳米晶的发展简介第15-22页
        1.2.1 溶液半导体纳米晶简介第15-16页
        1.2.2 量子限域效应和不同维度纳米晶的发展第16-20页
        1.2.3 各向异性生长的几种诱因第20-22页
    1.3 溶液半导体二维纳米晶的合成现状第22-38页
        1.3.1 纤锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的合成现状第22-24页
        1.3.2 纤锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的生长机理第24-26页
        1.3.3 闪锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的合成现状第26-31页
        1.3.4 闪锌矿结构的溶液半导体二维纳米晶的的生长机理第31-36页
        1.3.5 其他溶液半导体二维纳米晶的现存机理第36-38页
    1.4 溶液半导体二维纳米晶的机理研究的困境第38页
    1.5 本论文的立意第38-40页
第二章 实验方法第40-47页
    2.1 实验药品和仪器第40页
    2.2 实验装置示意图第40-41页
    2.3 样品制备第41-46页
        2.3.1 反应前驱体的制备第41-42页
        2.3.2 闪锌矿CdSe二维纳米晶的常见合成法第42页
        2.3.3 闪锌矿CdSe二维纳米晶的其他合成方法:优化后的反应系统,用于动力学研究第42-44页
        2.3.4 “晶种间接注入法”生成5.5层闪锌矿CdSe二维纳米晶第44-46页
    2.4 样品表征第46-47页
        2.4.1 紫外-可见吸收光谱和发射光谱第46页
        2.4.2 红外吸收光谱第46页
        2.4.3 透射电子显微镜第46页
        2.4.4 高分辨透射电子显微镜及球差校正场发射扫描透射电子显微镜第46页
        2.4.5 X射线粉末衍射测试第46-47页
第三章 闪锌矿CdSe二维纳米晶的合成研究第47-63页
    3.1 引言第47页
    3.2 CdSe二维纳米晶的常见合成方法第47-49页
        3.2.1 常见合成方法讨论第47-48页
        3.2.2 常见合成方法的共性第48-49页
    3.3 “晶种”的生成过程第49-58页
        3.3.1 硒前体种类以及引入方式的影响第49-54页
        3.3.2 镉盐前体链长的影响第54-56页
        3.3.3 沉淀与上清液中的“晶种”第56-57页
        3.3.4 不同厚度的二维纳米晶的“晶种”生成过程总结第57-58页
    3.4 二维纳米晶的生长过程第58-62页
        3.4.1 二维纳米晶生长过程界定第58页
        3.4.2 薄层(3.5层)闪锌矿CdSe二维纳米晶的生长第58-60页
        3.4.3 厚层(4.5层和5.5层)闪锌矿CdSe二维纳米晶的生长第60-62页
    3.5 本章小结第62-63页
第四章 不同厚度的二维纳米晶的生成动力学分析第63-80页
    4.1 引言第63页
    4.2 厚度为5.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学第63-67页
        4.2.1 反应系统的优化第63-64页
        4.2.2 厚度为5.5层二维纳米晶的生成反应动力学第64-66页
        4.2.3 厚度为5.5层二维纳米晶尺寸与形貌演化第66-67页
    4.3 厚度为4.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学第67-70页
        4.3.1 反应系统的优化第67页
        4.3.2 反应动力学第67-70页
        4.3.3 厚度为4.5层二维纳米晶尺寸与形貌的变化第70页
    4.4 厚度为3.5层的CdSe二维纳米晶生长动力学第70-72页
        4.4.1 反应系统的优化第70-72页
        4.4.2 反应动力学和形貌、尺寸演化第72页
    4.5 闪锌矿CdSe二维纳米晶的现存机理:分析及存疑第72-79页
        4.5.1 “单体吸附外延生长”机理第73-74页
        4.5.2 “相分离沉淀”机理第74-79页
        4.5.3 “软模板”机理第79页
    4.6 本章小结第79-80页
第五章 闪锌矿结构二维纳米晶的机理探究第80-108页
    5.1 引言第80-81页
    5.2 实验体系的设计第81-85页
        5.2.1 “晶种间接引入法”的选择第81-82页
        5.2.2 “晶种间接引入法”的预处理:“晶种”尺寸的选择及“晶种”纯化的必要性第82-83页
        5.2.3 “晶种间接引入法”的实验流程与产物表征第83-85页
    5.3 诱导剂和配体对对称性破缺的作用第85-91页
        5.3.1 长链镉盐和短链镉盐独立存在的反应第85-87页
        5.3.2 长链镉盐浓度固定条件下短链镉盐前体的作用第87-88页
        5.3.3 短链镉盐浓度固定条件下长链镉盐前体的作用第88-90页
        5.3.4 其他配体的作用第90-91页
    5.4 零维到二维转化动力学第91-100页
        5.4.1 零维到二维动力学监测第91-94页
        5.4.2 动力学过程分析第94-98页
        5.4.3 二维纳米晶转化速率的温度相关性第98-100页
    5.5 二次对称性破缺的机理第100-107页
        5.5.1 二维晶胚第100-102页
        5.5.2 单颗粒中间体第102-103页
        5.5.3 第一次对称性破缺:厚度方向与长宽方向的对称性破缺第103-105页
        5.5.4 第二次对称性破缺:长度方向与宽度方向的对称性破缺第105-106页
        5.5.5 从“晶种”到二维纳米晶转化机理第106-107页
    5.6 本章小结第107-108页
第六章 总结与展望第108-111页
参考文献第111-117页
作者简历及博士期间科研成果第117页

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