| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 薄膜晶体管介绍 | 第9-10页 |
| 1.2 薄膜晶体管电流模型研究进展 | 第10-15页 |
| 1.3 Meyer-Neldel Rule介绍 | 第15-16页 |
| 1.4 本文器件结构及制备工艺 | 第16-20页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 薄膜晶体管IV模型 | 第26-41页 |
| 2.1 薄膜晶体管IV模型建立 | 第26-33页 |
| 2.1.1 Pao-Sah模型简介 | 第26-28页 |
| 2.1.2 非均匀半导体材料中的缺陷态分布 | 第28-29页 |
| 2.1.3 薄膜晶体管IV模型建立 | 第29-33页 |
| 2.2 薄膜晶体管IV模型验证 | 第33-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 薄膜晶体管的MNR研究 | 第41-60页 |
| 3.1 亚阈值区电流遵循MNR | 第41-43页 |
| 3.2 MNR形式的亚阈值电流表达式推导 | 第43-47页 |
| 3.3 MNR现象解释 | 第47-57页 |
| 3.3.1 激活能Ea理论与实验值对比 | 第49-50页 |
| 3.3.2 MN能量EMN理论与实验值对比 | 第50页 |
| 3.3.3 I_(d0)指数前因子I_(d00)理论与实验值对比 | 第50-51页 |
| 3.3.4 MNR物理根源 | 第51-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章 薄膜晶体管输出特性研究 | 第60-65页 |
| 4.1 薄膜晶体管输出特性研究 | 第60-62页 |
| 4.2 未来工作 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |