首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

半导体Sn、Sb基硫属化合物的制备及其性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第11-30页
    1.1 引言第11-14页
    1.2 半导体无机纳米材料的制备方法第14-17页
    1.3 半导体无机纳米材料的表征手段第17-22页
    1.4 半导体无机纳米材料的光电性质第22-27页
    1.5 本论文的研究目的和主要内容第27-30页
2 SnSx(x=1,2)纳米材料的合成、表征与光电性质第30-50页
    2.1 引言第30-33页
    2.2 多孔 SnSx(x = 1,2)纳米材料的制备第33-35页
    2.3 多孔 SnSx(x = 1,2)纳米材料的表征第35-39页
    2.4 多孔 SnSx(x = 1,2)纳米材料的性质测试第39-48页
    2.5 本章小结第48-50页
3 SnO_2多孔纳米材料气敏性质的研究第50-71页
    3.1 引言第50-54页
    3.2 SnO_2气敏传感器的工作机理第54-56页
    3.3 多孔 SnO_2纳米材料的合成及其气敏传感器的制作第56-57页
    3.4 多孔 SnO_2纳米材料的表征第57-60页
    3.5 多孔 SnO_2的光电性质及其气敏传感器性质的测量第60-69页
    3.6 本章小结第69-71页
4 SnS 一维纳米带的制备、表征与光电性质第71-88页
    4.1 SnS 一维纳米功能材料简介第71-72页
    4.2 带状 SnS 纳米材料的制备第72-73页
    4.3 带状 SnS 材料的表征第73-75页
    4.4 带状 SnS 纳米材料的光电性质第75-86页
    4.5 本章小结第86-88页
5 Sb_2S_3纳米针和纳米花及其光电探测器的研究第88-108页
    5.1 半导体光电探测器的简介及 Sb_2S_3纳米材料的研究现状第88-92页
    5.2 针状和花状 Sb_2S_3纳米材料的制备第92-93页
    5.3 针状和花状 Sb_2S_3纳米材料的表征第93-97页
    5.4 针状和花状 Sb_2S_3纳米材料的性质测量第97-106页
    5.5 本章小结第106-108页
6 总结和展望第108-112页
    6.1 工作总结第108-109页
    6.2 展望第109-112页
致谢第112-114页
参考文献第114-135页
附录 1 攻读博士学位期间发表的论文和参加的科研项目第135页

论文共135页,点击 下载论文
上一篇:低温相变氧化钒薄膜的制备及性能研究
下一篇:基于受激布里渊散射的水体特征参数测量及相关基础研究