摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第1章 引言 | 第11-27页 |
1.1 阻尼的含义 | 第11-12页 |
1.2 阻尼技术的应用 | 第12-13页 |
1.3 阻尼涂层材料研究现状 | 第13-16页 |
1.3.1 阻尼材料的研究现状 | 第13-14页 |
1.3.2 阻尼涂层研究现状 | 第14-16页 |
1.4 阻尼机理 | 第16-21页 |
1.4.1 阻尼材料的减振机理 | 第16-17页 |
1.4.2 驰豫谱及几种典型的阻尼峰 | 第17-18页 |
1.4.3 间隙原子应力感生有序引起的阻尼(斯诺克峰) | 第18-19页 |
1.4.4 置换原子产生的阻尼(甄纳峰) | 第19页 |
1.4.5 晶界阻尼(葛氏峰) | 第19-20页 |
1.4.6 热弹性和磁弹性阻尼 | 第20页 |
1.4.7 阻尼涂层的减振来源 | 第20-21页 |
1.5 阻尼的测量与表征 | 第21-24页 |
1.5.1 比阻尼能力 | 第21-22页 |
1.5.2 相位差角 | 第22页 |
1.5.3 对数衰减率 | 第22-23页 |
1.5.4 品质因子的倒数 | 第23页 |
1.5.5 超声波在固体中的衰减系数 | 第23-24页 |
1.6 本课题的研究意义和内容 | 第24-27页 |
1.6.1 本课题的研究意义 | 第24页 |
1.6.2 课题研究的内容 | 第24-27页 |
第2章 镀膜设备与检测方法 | 第27-39页 |
2.1 多弧离子镀技术 | 第27-32页 |
2.1.1 多弧离子镀技术的原理 | 第27-30页 |
2.1.2 多弧离子镀技术的应用 | 第30-31页 |
2.1.3 多弧离子镀技术的优势及其存在的问题 | 第31-32页 |
2.2 试验设备及材料 | 第32-33页 |
2.2.1 试验设备 | 第32-33页 |
2.2.2 试验材料的选定 | 第33页 |
2.3 试验设计及流程 | 第33-35页 |
2.3.1 试验过程的设计 | 第33-34页 |
2.3.2 试验的工艺流程 | 第34-35页 |
2.4 涂层的测试方法 | 第35-39页 |
2.4.1 物相分析 | 第35-36页 |
2.4.2 表面形貌分析 | 第36-37页 |
2.4.3 化学成分分析 | 第37页 |
2.4.4 涂层厚度的测量 | 第37页 |
2.4.5 涂层系统阻尼的测量 | 第37-39页 |
第3章 TiZrN和TiN/ZrN复合阻尼涂层的制备、测试、分析及讨论 | 第39-55页 |
3.1 氮化钛锆厚度工艺参数的优化 | 第39-42页 |
3.1.1 氮化钛厚度工艺参数的选定 | 第39-41页 |
3.1.2 氮化锆厚度工艺参数的选定 | 第41-42页 |
3.2 氮化钛锆复合涂层工艺的确定 | 第42-44页 |
3.2.1 镀膜方法 | 第42-43页 |
3.2.2 镀膜工艺 | 第43-44页 |
3.3 复合涂层的表面形貌分析 | 第44-47页 |
3.4 复合涂层的x射线衍射分析 | 第47-51页 |
3.5 TiZrN涂层和TiN/ZrN的对比分析 | 第51-53页 |
3.5.1 表面形貌 | 第51-52页 |
3.5.2 x射线衍射 | 第52-53页 |
3.6 本章小结 | 第53-55页 |
第4章 振动阻尼的测试、分析和讨论 | 第55-69页 |
4.1 阻尼测试的基础理论 | 第55-58页 |
4.1.1 频率响应函数 | 第55-56页 |
4.1.2 半功率带宽法 | 第56-58页 |
4.2 测试系统简介 | 第58-62页 |
4.2.1 测试仪器的性能参数 | 第58-60页 |
4.2.2 测试及模态参数识别软件 | 第60-62页 |
4.3 测试结果的分析、讨论 | 第62-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-69页 |
第5章 涂层阻尼的数值模拟 | 第69-83页 |
5.1 ANSYS分析中的能量损耗机理 | 第69-70页 |
5.2 有限元方法在复合阻尼涂层中的应用 | 第70-71页 |
5.2.1 ANSYS软件简介 | 第70页 |
5.2.2 ANSYS有限元分析在复合涂层的中应用 | 第70-71页 |
5.3 复合涂层阻尼特性的有限元分析 | 第71-80页 |
5.3.1 模型建立 | 第71-73页 |
5.3.2 模态分析 | 第73-78页 |
5.3.3 谐响应分析 | 第78-80页 |
5.4 有限元分析结果和阻尼测试结果的分析与讨论 | 第80页 |
5.5 本章小结 | 第80-83页 |
第6章 结论与展望 | 第83-85页 |
6.1 结论 | 第83页 |
6.2 展望 | 第83-85页 |
参考文献 | 第85-91页 |
致谢 | 第91-93页 |
附表 | 第93-96页 |