中文摘要 | 第8-10页 |
英文摘要 | 第10页 |
前言 | 第13-19页 |
第一章 纳米粉体制备方法研究现状 | 第19-28页 |
1.1 纳米粉体制备方法分类研究现状 | 第19-20页 |
1.2 纳米粉体制备方法分类 | 第20-21页 |
1.2.1 分类原则 | 第20页 |
1.2.2 分类 | 第20-21页 |
1.3 主要湿化学制备方法研究现状 | 第21-26页 |
1.3.1 水热法 | 第21-22页 |
1.3.2 沉淀法 | 第22-24页 |
1.3.3 溶胶-凝胶法 | 第24-25页 |
1.3.4 微乳法 | 第25-26页 |
1.4 湿化学纳米粉体制备方法发展趋势 | 第26-27页 |
1.5 本章小结 | 第27-28页 |
第二章 纳米TiO_2粉体制备研究现状 | 第28-42页 |
2.1 纳米TiO_2粉体制备方法研究现状 | 第28-29页 |
2.2 纳米TiO_2粉体制备工艺研究现状 | 第29-35页 |
2.2.1 溶胶-凝胶法制备工艺研究现状 | 第29-31页 |
2.2.2 水解法制备工艺研究现状 | 第31-32页 |
2.2.3 水热法制备工艺研究现状 | 第32-33页 |
2.2.4 沉淀法制备工艺研究现状 | 第33-34页 |
2.2.5 微乳法制备工艺研究现状 | 第34页 |
2.2.6 水解沉淀法制备工艺研究现状 | 第34-35页 |
2.3 纳米TiO_2粉体粒度研究现状 | 第35-37页 |
2.3.1 前驱体浓度及配比 | 第35-36页 |
2.3.2 热处理 | 第36页 |
2.3.3 外加作用力的能量和方式 | 第36-37页 |
2.3.4 其它工艺参数 | 第37页 |
2.4 纳米TiO_2粉体颗粒结构研究现状 | 第37-39页 |
2.4.1 纳米TiO_2粉体晶相组成研究现状 | 第37-39页 |
2.4.2 纳米TiO_2粉体颗粒结构相变研究现状 | 第39页 |
2.4.3 纳米TiO_2粉体颗粒结构研究现状 | 第39页 |
2.5 纳米TiO_2粉体防团聚技术研究现状 | 第39-41页 |
2.6 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 水解沉淀法纳米TiO_2粉体制备工艺研究 | 第42-70页 |
3.1 制备方法选择 | 第42页 |
3.2 实验部分 | 第42-43页 |
3.2.1 实验用主要化学试剂 | 第42-43页 |
3.2.2 实验工艺流程 | 第43页 |
3.3 水解沉淀法制备工艺研究 | 第43-68页 |
3.3.1 水解温度 | 第43-46页 |
3.3.2 水解催化剂与前驱体摩尔比值 | 第46-49页 |
3.3.3 搅拌回流保温时间 | 第49-52页 |
3.3.4 搅拌回流保温温度 | 第52-54页 |
3.3.5 前驱体浓度 | 第54-57页 |
3.3.6 前驱体与沉淀剂摩尔比值 | 第57-60页 |
3.3.7 沉淀剂加入时机 | 第60-63页 |
3.3.8 冲洗工艺及晶化温度 | 第63-68页 |
3.3.9 最佳工艺参数 | 第68页 |
3.4 本章小结 | 第68-70页 |
第四章 水解沉淀法纳米TiO_2粉体晶相控制研究 | 第70-80页 |
4.1 研究目的 | 第70-71页 |
4.2 实验部分 | 第71-72页 |
4.2.1 实验用主要试剂 | 第71页 |
4.2.2 实验工艺流程 | 第71-72页 |
4.3 冲洗及晶化温度对粉体晶相组成的控制 | 第72-73页 |
4.4 沉淀剂对粉体晶相组成的控制 | 第73-76页 |
4.5 相变温度研究 | 第76-78页 |
4.6 本章小结 | 第78-80页 |
第五章 纳米TiO_2粉体晶相转变机理研究 | 第80-91页 |
5.1 沉淀剂在沉淀物颗粒表面的吸附状态 | 第80-83页 |
5.2 沉淀剂在粉体颗粒表面上的结构形式 | 第83-85页 |
5.3 沉淀剂在粉体晶化过程中的行为 | 第85-86页 |
5.4 沉淀物在晶化过程中晶相结构演变 | 第86-89页 |
5.5 晶相转变机理 | 第89-90页 |
5.6 本章小结 | 第90-91页 |
第六章 晶体生长界面相研究 | 第91-107页 |
6.1 问题的引出 | 第91页 |
6.2 晶体生长理论简介及述评 | 第91-95页 |
6.2.1 晶体平衡形态理论 | 第92-93页 |
6.2.2 界面生长理论 | 第93-94页 |
6.2.3 PBC理论 | 第94页 |
6.2.4 负离子配位多面体生长基元模型 | 第94-95页 |
6.3 晶体生长理论发展趋势 | 第95页 |
6.4 晶体生长研究进展 | 第95-97页 |
6.4.1 晶体生长定位机制 | 第95-96页 |
6.4.2 台阶生长 | 第96-97页 |
6.4.3 晶体形态与生长习性 | 第97页 |
6.5 晶体生长理论研究的基本科学问题 | 第97-98页 |
6.6 界面相提出 | 第98-100页 |
6.6.1 界面相的概念 | 第98页 |
6.6.2 界面相中物质的迁移 | 第98-99页 |
6.6.3 晶体生长过程中存在界面相 | 第99-100页 |
6.6.4 晶体生长过程中界面相的定义 | 第100页 |
6.7 晶体生长过程中的界面相 | 第100-104页 |
6.7.1 台阶生长与晶体相 | 第100页 |
6.7.2 晶体生长过程中的界面层 | 第100-102页 |
6.7.3 晶体生长过程中的吸附层 | 第102-103页 |
6.7.4 晶体生长过程中的过渡层(环境相) | 第103-104页 |
6.8 界面相模型 | 第104-106页 |
6.8.1 界面相模型的提出 | 第104页 |
6.8.2 界面相模型要点 | 第104-105页 |
6.8.3 界面相理论模型 | 第105-106页 |
6.9 本章小结 | 第106-107页 |
第七章 晶体生长界面相模型 | 第107-119页 |
7.1 界面相模型的实验验证 | 第107-111页 |
7.1.1 验证思路 | 第107页 |
7.1.2 实验部分 | 第107页 |
7.1.3 实验结果 | 第107-111页 |
7.2 晶体相在晶体生长过程中的地位与作用 | 第111页 |
7.3 界面层在晶体生长过程中的地位与作用 | 第111-114页 |
7.3.1 化学组成 | 第111-112页 |
7.3.2 原子的配位数(价态)和电子态 | 第112页 |
7.3.3 界面原子排布与结构 | 第112-113页 |
7.3.4 界面层构形 | 第113-114页 |
7.4 吸附层在晶体生长过程中的地位与作用 | 第114-117页 |
7.4.1 化学组成 | 第114-115页 |
7.4.2 结构 | 第115-116页 |
7.4.3 吸附层内物质运动方式 | 第116页 |
7.4.4 吸附层内物质的相互反应对吸附层性质的影响 | 第116-117页 |
7.4.5 吸附层与界面层之间的关系 | 第117页 |
7.5 过渡层 | 第117页 |
7.6 晶体生长界面相模型 | 第117-118页 |
7.7 本章小结 | 第118-119页 |
第八章 结论 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-135页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第135-136页 |
致谢 | 第136页 |