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纳米TiO2(金红石锐钛矿)粉体晶相控制研究与晶体生长界面相模型

中文摘要第8-10页
英文摘要第10页
前言第13-19页
第一章 纳米粉体制备方法研究现状第19-28页
    1.1 纳米粉体制备方法分类研究现状第19-20页
    1.2 纳米粉体制备方法分类第20-21页
        1.2.1 分类原则第20页
        1.2.2 分类第20-21页
    1.3 主要湿化学制备方法研究现状第21-26页
        1.3.1 水热法第21-22页
        1.3.2 沉淀法第22-24页
        1.3.3 溶胶-凝胶法第24-25页
        1.3.4 微乳法第25-26页
    1.4 湿化学纳米粉体制备方法发展趋势第26-27页
    1.5 本章小结第27-28页
第二章 纳米TiO_2粉体制备研究现状第28-42页
    2.1 纳米TiO_2粉体制备方法研究现状第28-29页
    2.2 纳米TiO_2粉体制备工艺研究现状第29-35页
        2.2.1 溶胶-凝胶法制备工艺研究现状第29-31页
        2.2.2 水解法制备工艺研究现状第31-32页
        2.2.3 水热法制备工艺研究现状第32-33页
        2.2.4 沉淀法制备工艺研究现状第33-34页
        2.2.5 微乳法制备工艺研究现状第34页
        2.2.6 水解沉淀法制备工艺研究现状第34-35页
    2.3 纳米TiO_2粉体粒度研究现状第35-37页
        2.3.1 前驱体浓度及配比第35-36页
        2.3.2 热处理第36页
        2.3.3 外加作用力的能量和方式第36-37页
        2.3.4 其它工艺参数第37页
    2.4 纳米TiO_2粉体颗粒结构研究现状第37-39页
        2.4.1 纳米TiO_2粉体晶相组成研究现状第37-39页
        2.4.2 纳米TiO_2粉体颗粒结构相变研究现状第39页
        2.4.3 纳米TiO_2粉体颗粒结构研究现状第39页
    2.5 纳米TiO_2粉体防团聚技术研究现状第39-41页
    2.6 本章小结第41-42页
第三章 水解沉淀法纳米TiO_2粉体制备工艺研究第42-70页
    3.1 制备方法选择第42页
    3.2 实验部分第42-43页
        3.2.1 实验用主要化学试剂第42-43页
        3.2.2 实验工艺流程第43页
    3.3 水解沉淀法制备工艺研究第43-68页
        3.3.1 水解温度第43-46页
        3.3.2 水解催化剂与前驱体摩尔比值第46-49页
        3.3.3 搅拌回流保温时间第49-52页
        3.3.4 搅拌回流保温温度第52-54页
        3.3.5 前驱体浓度第54-57页
        3.3.6 前驱体与沉淀剂摩尔比值第57-60页
        3.3.7 沉淀剂加入时机第60-63页
        3.3.8 冲洗工艺及晶化温度第63-68页
        3.3.9 最佳工艺参数第68页
    3.4 本章小结第68-70页
第四章 水解沉淀法纳米TiO_2粉体晶相控制研究第70-80页
    4.1 研究目的第70-71页
    4.2 实验部分第71-72页
        4.2.1 实验用主要试剂第71页
        4.2.2 实验工艺流程第71-72页
    4.3 冲洗及晶化温度对粉体晶相组成的控制第72-73页
    4.4 沉淀剂对粉体晶相组成的控制第73-76页
    4.5 相变温度研究第76-78页
    4.6 本章小结第78-80页
第五章 纳米TiO_2粉体晶相转变机理研究第80-91页
    5.1 沉淀剂在沉淀物颗粒表面的吸附状态第80-83页
    5.2 沉淀剂在粉体颗粒表面上的结构形式第83-85页
    5.3 沉淀剂在粉体晶化过程中的行为第85-86页
    5.4 沉淀物在晶化过程中晶相结构演变第86-89页
    5.5 晶相转变机理第89-90页
    5.6 本章小结第90-91页
第六章 晶体生长界面相研究第91-107页
    6.1 问题的引出第91页
    6.2 晶体生长理论简介及述评第91-95页
        6.2.1 晶体平衡形态理论第92-93页
        6.2.2 界面生长理论第93-94页
        6.2.3 PBC理论第94页
        6.2.4 负离子配位多面体生长基元模型第94-95页
    6.3 晶体生长理论发展趋势第95页
    6.4 晶体生长研究进展第95-97页
        6.4.1 晶体生长定位机制第95-96页
        6.4.2 台阶生长第96-97页
        6.4.3 晶体形态与生长习性第97页
    6.5 晶体生长理论研究的基本科学问题第97-98页
    6.6 界面相提出第98-100页
        6.6.1 界面相的概念第98页
        6.6.2 界面相中物质的迁移第98-99页
        6.6.3 晶体生长过程中存在界面相第99-100页
        6.6.4 晶体生长过程中界面相的定义第100页
    6.7 晶体生长过程中的界面相第100-104页
        6.7.1 台阶生长与晶体相第100页
        6.7.2 晶体生长过程中的界面层第100-102页
        6.7.3 晶体生长过程中的吸附层第102-103页
        6.7.4 晶体生长过程中的过渡层(环境相)第103-104页
    6.8 界面相模型第104-106页
        6.8.1 界面相模型的提出第104页
        6.8.2 界面相模型要点第104-105页
        6.8.3 界面相理论模型第105-106页
    6.9 本章小结第106-107页
第七章 晶体生长界面相模型第107-119页
    7.1 界面相模型的实验验证第107-111页
        7.1.1 验证思路第107页
        7.1.2 实验部分第107页
        7.1.3 实验结果第107-111页
    7.2 晶体相在晶体生长过程中的地位与作用第111页
    7.3 界面层在晶体生长过程中的地位与作用第111-114页
        7.3.1 化学组成第111-112页
        7.3.2 原子的配位数(价态)和电子态第112页
        7.3.3 界面原子排布与结构第112-113页
        7.3.4 界面层构形第113-114页
    7.4 吸附层在晶体生长过程中的地位与作用第114-117页
        7.4.1 化学组成第114-115页
        7.4.2 结构第115-116页
        7.4.3 吸附层内物质运动方式第116页
        7.4.4 吸附层内物质的相互反应对吸附层性质的影响第116-117页
        7.4.5 吸附层与界面层之间的关系第117页
    7.5 过渡层第117页
    7.6 晶体生长界面相模型第117-118页
    7.7 本章小结第118-119页
第八章 结论第119-121页
参考文献第121-135页
攻读博士学位期间发表的论文第135-136页
致谢第136页

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