摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第7-10页 |
1.1 研究背景 | 第7-8页 |
1.2 行文思路 | 第8-10页 |
第二章 电压基准源的设计 | 第10-33页 |
2.1 双极晶体管的基本原理 | 第10-14页 |
2.1.1 二极管的特性 | 第10-11页 |
2.1.2 双极晶体管的特性 | 第11-14页 |
2.2 常用带隙电压基准的基本结构 | 第14-17页 |
2.2.1 两条支路型带隙基准 | 第14-15页 |
2.2.2 利用PTAT电流产生的带隙基准 | 第15-16页 |
2.2.3 低电压Banba结构带隙基准源 | 第16-17页 |
2.3 环路稳定性 | 第17-20页 |
2.4 失调 | 第20-24页 |
2.5 噪声 | 第24-27页 |
2.6 电源抑制比 | 第27-29页 |
2.7 启动 | 第29-32页 |
2.7.1 两条支路型带隙基准的启动 | 第29-30页 |
2.7.2 利用PTAT电流产生的Bandgap的启动 | 第30-31页 |
2.7.3 Banba结构Bandgap的启动 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-33页 |
第三章 高精度线性稳压器的设计 | 第33-72页 |
3.1 线性稳压器的主要类型 | 第34-37页 |
3.1.1 NMOS和PMOS功率管 | 第34-36页 |
3.1.2 外部补偿和内部补偿 | 第36-37页 |
3.2 线性稳压器的环路频率响应 | 第37-45页 |
3.2.1 未补偿的频率响应 | 第37-39页 |
3.2.2 密勒补偿的频率响应 | 第39-45页 |
3.3 无缓冲级的频率补偿 | 第45-51页 |
3.3.1 消除和平移右半平面的密勒零点 | 第45-50页 |
3.3.2 采用密勒电容的内部补偿 | 第50-51页 |
3.4 采用缓冲级的频率补偿 | 第51-55页 |
3.4.1 插入Buffer级后的频率响应分析 | 第51-53页 |
3.4.2 Buffer的改进技术 | 第53-55页 |
3.5 稳压性能 | 第55-59页 |
3.5.1 负载调整率 | 第55-56页 |
3.5.2 线性调整率 | 第56页 |
3.5.3 温度漂移 | 第56-57页 |
3.5.4 瞬态响应 | 第57-59页 |
3.6 噪声 | 第59-70页 |
3.6.1 器件噪声 | 第60-62页 |
3.6.2 线性稳压器的PSR | 第62-64页 |
3.6.3 运放的PSR | 第64-66页 |
3.6.4 PSR的频率特性 | 第66-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
第四章 设计实例1——在高速高精度ADC中的应用 | 第72-84页 |
4.1 ADC的基本架构和对电源的要求 | 第73-74页 |
4.2 Reference-Buffer和其他模块的电路设计 | 第74-78页 |
4.3 版图设计 | 第78-79页 |
4.4 仿真 | 第79-82页 |
4.4.1 瞬态 | 第79-80页 |
4.4.2 噪声 | 第80-81页 |
4.4.3 PSR | 第81页 |
4.4.4 温漂 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-84页 |
第五章 设计实例2——在智能温度传感器中的应用 | 第84-96页 |
5.1 温度传感器 | 第85-87页 |
5.2 版图设计 | 第87-88页 |
5.3 仿真 | 第88-94页 |
5.3.1 温漂 | 第88-89页 |
5.3.2 失调 | 第89-90页 |
5.3.3 频率补偿与环路稳定性 | 第90-92页 |
5.3.4 噪声 | 第92-93页 |
5.3.5 PSR | 第93-94页 |
5.3.6 瞬态 | 第94页 |
参考文献 | 第94-96页 |
第六章 总结与展望 | 第96-97页 |
6.1 工作总结 | 第96页 |
6.2 未来展望 | 第96-97页 |
致谢 | 第97-98页 |