| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景 | 第8-12页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的发展 | 第8-9页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的应用 | 第9-12页 |
| 1.2 高k介电层的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3 本文主要研究内容和章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管的原理与参数 | 第18-27页 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构与原理 | 第18-24页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第18-21页 |
| 2.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.1.3 薄膜晶体管中的载流子输运 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜晶体管的性能参数 | 第24-27页 |
| 2.2.1 场效应迁移率(μ_(FE)) | 第24-25页 |
| 2.2.2 电流开关比(I_(on)/I_(off)) | 第25页 |
| 2.2.3 阈值电压(V_(TH)) | 第25-26页 |
| 2.2.4 亚阈值摆幅(SS) | 第26页 |
| 2.2.5 最大界面态密度(N_s~(max)) | 第26-27页 |
| 第三章 薄膜和器件的制备 | 第27-34页 |
| 3.1 薄膜的制备工艺 | 第27-30页 |
| 3.1.1 磁控溅射 | 第27-29页 |
| 3.1.2 旋转涂覆 | 第29页 |
| 3.1.3 热蒸发 | 第29-30页 |
| 3.2 HfO_x薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第30-31页 |
| 3.2.2 溶液配制 | 第31页 |
| 3.2.3 旋转涂覆 | 第31页 |
| 3.2.4 薄膜退火 | 第31页 |
| 3.3 IZO-HfO_x薄膜晶体管的制备 | 第31-33页 |
| 3.3.1 器件结构 | 第31-32页 |
| 3.3.2 制备铟锌氧半导体层 | 第32页 |
| 3.3.3 制备电极 | 第32-33页 |
| 3.3.4 器件退火 | 第33页 |
| 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 薄膜及器件的性能测试 | 第34-46页 |
| 4.1 薄膜的表征方法 | 第34-35页 |
| 4.1.1 傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第34页 |
| 4.1.2 X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| 4.1.3 原子力显微镜(AFM) | 第35页 |
| 4.2 氧化铪薄膜的表征 | 第35-40页 |
| 4.2.1 表面形貌 | 第35-36页 |
| 4.2.2 透过率 | 第36-37页 |
| 4.2.3 傅里叶变换红外光谱 | 第37-38页 |
| 4.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第38页 |
| 4.2.5 漏电流特性 | 第38-39页 |
| 4.2.6 电容特性 | 第39-40页 |
| 4.3 IZO-HfO_x薄膜晶体管的性能测试 | 第40-42页 |
| 4.4 HfAlO_x混合介电层研究 | 第42-45页 |
| 4.4.1 HfAlO_x混合介电层的研究背景 | 第42页 |
| 4.4.2 HfAlO_x混合介电层的制备 | 第42-43页 |
| 4.4.3 HfAlO_x混合介电层的电学性质 | 第43-45页 |
| 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |