| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 有机场效应晶体管 | 第10-15页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管的结构和工作原理 | 第10-11页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的主要性能参数 | 第11-12页 |
| 1.1.3 有机半导体材料 | 第12-15页 |
| 1.2 基于非氯溶剂的有机光电器件 | 第15-18页 |
| 1.3 有机场效应晶体管器件的金属/半导体接触电阻和注入势垒 | 第18-22页 |
| 1.3.1 接触电阻和注入势垒 | 第18-19页 |
| 1.3.2 自组装分子层修饰电极 | 第19-22页 |
| 第二章 非氯溶剂加工的有机场效应晶体管 | 第22-40页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-25页 |
| 2.2.1 试剂和仪器 | 第22-23页 |
| 2.2.2 溶解度测定 | 第23页 |
| 2.2.3 OFET器件的制备和表征 | 第23-25页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第25-39页 |
| 2.3.1 NDI3HU-DTYM2的光学性质 | 第25-26页 |
| 2.3.2 NDI3HU-DTYM2在不同溶剂中的溶解度 | 第26-28页 |
| 2.3.3 不同溶剂对NDI3HU-DTYM2薄膜形貌的影响 | 第28-31页 |
| 2.3.4 不同溶剂对OFET器件性能的影响 | 第31-35页 |
| 2.3.5 高沸点添加剂对于OFET器件性能的影响 | 第35-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 电极修饰和改变电极功函对NDI3HU-DTYM2的场效应晶体管性能的影响 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第41-52页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第41-42页 |
| 3.2.2 电极修饰对场效应晶体管器件性能的影响 | 第42-48页 |
| 3.2.3 使用不同金属电极对场效应晶体管器件性能的影响 | 第48-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 4.1 论文总结 | 第53页 |
| 4.2 工作展望 | 第53-55页 |
| 附录 新化合物数据与谱图 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
