| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 前言 | 第14-15页 |
| 1.2 功率放大器在无线通信系统中的地位 | 第15-17页 |
| 1.3 功率放大器芯片制造工艺 | 第17-18页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 SiGe BiCMOS功率放大器研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4.2 SOI CMOS功率放大器研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 论文主要研究内容和组织结构 | 第21-22页 |
| 第2章 射频功率放大器设计理论 | 第22-43页 |
| 2.1 功率放大器性能指标 | 第22-27页 |
| 2.1.1 输出功率 | 第22-23页 |
| 2.1.2 效率 | 第23-24页 |
| 2.1.3 线性度 | 第24-27页 |
| 2.1.4 增益 | 第27页 |
| 2.2 WLAN系统指标 | 第27-30页 |
| 2.2.1 误差矢量幅度 | 第28-29页 |
| 2.2.2 发射频谱掩膜 | 第29-30页 |
| 2.3 功率匹配技术 | 第30-32页 |
| 2.4 功率放大器的仿真 | 第32-38页 |
| 2.4.1 直流仿真 | 第32-33页 |
| 2.4.2 小信号S参数仿真 | 第33-34页 |
| 2.4.3 谐波平衡仿真 | 第34-35页 |
| 2.4.4 托勒密仿真 | 第35-37页 |
| 2.4.5 电磁仿真 | 第37-38页 |
| 2.5 功率放大器设计中几个重要问题讨论 | 第38-43页 |
| 2.5.1 增益膨胀现象分析 | 第38-41页 |
| 2.5.2 AM-AM效应对EVM的影响 | 第41-43页 |
| 第3章 基于SiGe BiCMOS工艺的功率放大器设计 | 第43-60页 |
| 3.1 SiGe BiCMOS工艺和器件 | 第43-45页 |
| 3.1.1 SiGe HBT器件原理简介 | 第43-45页 |
| 3.1.2 工艺说明 | 第45页 |
| 3.2 功率放大器设计指标 | 第45页 |
| 3.3 电路设计 | 第45-56页 |
| 3.3.1 晶体管的选取 | 第46页 |
| 3.3.2 晶体管尺寸的选取 | 第46-48页 |
| 3.3.3 稳定性考虑 | 第48-50页 |
| 3.3.4 单级放大电路设计 | 第50-53页 |
| 3.3.5 匹配电路设计 | 第53-55页 |
| 3.3.6 偏置电路 | 第55-56页 |
| 3.4 版图设计和后仿真结果 | 第56-60页 |
| 第4章 基于SOI CMOS工艺的WLAN功率放大器设计 | 第60-69页 |
| 4.1 SOI CMOS工艺介绍 | 第60-61页 |
| 4.2 CMOS功率放大器设计挑战 | 第61页 |
| 4.3 自适应偏置电路设计 | 第61-66页 |
| 4.4 SOI CMOS工艺功率放大器设计 | 第66-67页 |
| 4.5 版图设计和仿真结果 | 第67-69页 |
| 第5章 功率放大器芯片的测试和调试 | 第69-78页 |
| 5.1 芯片测试平台的搭建 | 第69-72页 |
| 5.1.1 测试PCB板的设计 | 第69-71页 |
| 5.1.2 测试工具和软件 | 第71-72页 |
| 5.2 SiGe BiCMOS工艺功率放大器芯片的测试 | 第72-75页 |
| 5.3 SOI CMOS工艺功率放大器的测试和分析 | 第75-78页 |
| 第6章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 工作成果总结 | 第78-79页 |
| 6.2 工作展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第86-87页 |
| 附件 | 第87页 |
