| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 碲纳米材料的基本结构和类型特征 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体纳米材料的光电性能 | 第13-14页 |
| 1.4 半导体湿敏传感器 | 第14-16页 |
| 1.5 一维纳米器件的应用 | 第16-19页 |
| 1.5.1 纳米场效应器件 | 第16-18页 |
| 1.5.2 纳米光电探测器件 | 第18-19页 |
| 1.6 本文的研究思路及主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 Te纳米线的可控制备与表征和纳米器件构筑 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 水热法合成碲纳米线 | 第22-23页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第22页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第22-23页 |
| 2.3 样品的形貌和结构表征 | 第23-25页 |
| 2.4 场效应晶体管的构筑 | 第25-27页 |
| 2.5 搭建电输运测试平台 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 单根Te纳米线器件的场效应性能研究 | 第29-39页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 单根碲纳米线场效应器件的性能测试及结果分析 | 第29-32页 |
| 3.3 相对湿度对Te纳米线的电输运特性的影响 | 第32-36页 |
| 3.3.1 实验测试结果 | 第32-36页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 Te纳米线的光电性质研究 | 第39-46页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 不同的波长的光照对Te纳米线光电导的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.1 实验结果分析 | 第40-41页 |
| 4.2.2 机理分析 | 第41-42页 |
| 4.3 Te纳米线的光响应现象 | 第42-45页 |
| 4.3.1 实验结果分析 | 第42-44页 |
| 4.3.2 机理分析 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-49页 |
| 5.1 总结 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 附录：攻读硕士学位期间已完成论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |