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新型碳化硅载体的制备及其在甲烷二氧化碳重整中的性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第18-36页
    1.1 引言第18页
    1.2 CH_4-CO_2重整反应制备合成气的研究第18-26页
        1.2.1 甲烷制合成气的主要方式第19-20页
            1.2.1.1 甲烷水蒸气重整第19-20页
            1.2.1.2 甲烷部分氧化反应第20页
            1.2.1.3 CH_4-CO_2重整第20页
        1.2.2 CH_4-CO_2重整反应的研究第20-26页
            1.2.2.1 热力学分析第20-21页
            1.2.2.2 反应机理分析第21-22页
            1.2.2.3 催化剂研究第22-26页
                1.2.2.3.1 活性组分第22-23页
                1.2.2.3.2 载体第23-24页
                1.2.2.3.3 助剂第24-25页
                1.2.2.3.4 失活分析第25-26页
    1.3 碳化硅材料在催化反应中的应用第26-33页
        1.3.1 碳化硅的结构和性能第26-28页
            1.3.1.1 晶体结构第27页
            1.3.1.2 物化性能第27-28页
        1.3.2 碳化硅作为催化剂载体的研究进展第28-33页
            1.3.2.1 高比表面积的碳化硅第28-31页
            1.3.2.2 低比表面积的碳化硅第31-33页
    1.4 本论文研究的意义与内容第33-36页
        1.4.1 研究意义第33页
        1.4.2 研究内容第33-36页
第二章 实验部分第36-44页
    2.1 实验原料第36页
    2.2 实验仪器第36-37页
    2.3 催化剂制备第37-40页
        2.3.1 C-SiC载体的制备第37页
        2.3.2 N-C-SiC载体的制备第37-38页
        2.3.3 Ni/C-SiC和Ni/N-C-SiC催化剂的制备第38-39页
        2.3.4 Ni/CeO_2-C-SiC催化剂的制备第39页
        2.3.5 Ni/La_2O_3-C-SiC催化剂的制备第39-40页
    2.4 催化剂表征第40-42页
        2.4.1 扫描电子显微镜(SEM)第40页
        2.4.2 N_2吸附第40页
        2.4.3 X射线衍射(XRD)第40-41页
        2.4.4 透射电子显微镜(TEM)第41页
        2.4.5 热重/差热分析(TG/DTA)第41页
        2.4.6 氢气程序升温还原(H_2-TPR)第41页
        2.4.7 X射线光电子能谱(XPS)第41-42页
    2.5 催化剂性能评价第42-44页
第三章 Ni/C-SiC和Ni/N-C-SiC催化剂在CH_4-CO_2重整中的性能研究第44-58页
    3.1 引言第44页
    3.2 实验结果与讨论第44-57页
        3.2.1 催化剂的CH_4-CO_2重整性能第44-48页
            3.2.1.1 碳化时间的影响第44-45页
            3.2.1.2 N掺杂时间的影响第45-46页
            3.2.1.3 N掺杂含量的影响第46页
            3.2.1.4 Ni/SiC、Ni/C-SiC-1和Ni/N-C-SiC-1-0.375:1催化剂的性能比较第46-48页
        3.2.2 载体表征第48-50页
            3.2.2.1 SEM第48-49页
            3.2.2.2 N_2吸附第49-50页
        3.2.3 催化剂表征第50-57页
            3.2.3.1 XRD第50-52页
            3.2.3.2 TEM第52-54页
            3.2.3.3 TG第54-56页
            3.2.3.4 H_2-TPR第56-57页
    3.3 小结第57-58页
第四章 CeO_2改性的Ni/C-SiC催化剂在CH_4-CO_2重整中的性能研究第58-72页
    4.1 引言第58页
    4.2 实验结果与讨论第58-71页
        4.2.1 催化剂的CH_4-CO_2重整性能第58-60页
            4.2.1.1 CeO_2含量的影响第58-59页
            4.2.1.2 Ni/C-SiC-1和Ni/20CeO_2-C-SiC-1催化剂的性能比较第59-60页
        4.2.2 催化剂表征第60-71页
            4.2.2.1 N_2吸附第60-61页
            4.2.2.2 XRD第61-63页
            4.2.2.3 TEM第63-66页
            4.2.2.4 TG/DTA第66-68页
            4.2.2.5 H_2-TPR第68-69页
            4.2.2.6 XPS第69-71页
    4.3 小结第71-72页
第五章 La_2O_3改性的Ni/C-SiC催化剂在CH_4-CO_2重整中的性能研究第72-82页
    5.1 引言第72页
    5.2 实验结果与讨论第72-80页
        5.2.1 催化剂的CH_4-CO_2重整性能第72-74页
            5.2.1.1 La_2O_3含量的影响第72-73页
            5.2.1.2 Ni/C-SiC-1和Ni/5La_2O_3-C-SiC-1催化剂的性能比较第73-74页
        5.2.2 催化剂表征第74-80页
            5.2.2.1 N_2吸附第74-75页
            5.2.2.2 XRD第75-77页
            5.2.2.3 TEM第77-79页
            5.2.2.4 TG第79页
            5.2.2.5 H_2-TPR第79-80页
    5.3 小结第80-82页
第六章 结论与展望第82-84页
    6.1 结论第82页
    6.2 创新点第82页
    6.3 展望第82-84页
参考文献第84-92页
致谢第92-94页
研究成果及发表的学术论文第94-96页
作者和导师简介第96-98页
北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书第98-100页

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